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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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MEO550-02DA

MEO550-02DA

DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6

IXYS

143 -
MEO550-02DA

数据表

- Y4-M6 Bulk Active Standard 200 V 1.25 V @ 520 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 mA @ 200 V - 582A - - Chassis Mount Y4-M6 -40°C ~ 150°C
MEO450-12DA

MEO450-12DA

DIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6

IXYS

114 -
MEO450-12DA

数据表

- Y4-M6 Box Active Standard 1200 V 1.96 V @ 520 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 24 mA @ 1200 V - 453A - - Chassis Mount Y4-M6 -40°C ~ 150°C
DHG55I3300FE

DHG55I3300FE

DIODE GP 3.3KV 50A ISOPLUS I4PAC

IXYS

6,335 -
DHG55I3300FE

数据表

- i4-Pac™-5 (2 Leads) Tube Active Standard 3300 V 3.4 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.65 µs 100 µA @ 3300 V 16pF @ 1.8kV, 1MHz 50A - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ -40°C ~ 150°C
MDO500-12N1

MDO500-12N1

DIODE GEN PURP 1.2KV 560A Y1-CU

IXYS

59 -
MDO500-12N1

数据表

- Y1-CU Box Active Standard 1200 V 1.3 V @ 1200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 30 mA @ 1200 V 762pF @ 400V, 1MHz 560A - - Chassis Mount Y1-CU -
W0642WC160

W0642WC160

DIODE GEN PURP 1.6KV 642A W1

IXYS

3,185 -
W0642WC160

数据表

- DO-200AB, A-PUK Box Active Standard 1600 V 2.37 V @ 1900 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 15 µs 15 mA @ 1600 V - 642A - - Clamp On W1 -40°C ~ 180°C
W0642WC200

W0642WC200

DIODE GEN PURP 2KV 642A W1

IXYS

4,607 -
W0642WC200

数据表

- DO-200AB, A-PUK Box Active Standard 2000 V 2.37 V @ 1900 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 15 µs 15 mA @ 2000 V - 642A - - Clamp On W1 -40°C ~ 180°C
DHG40I4500KO

DHG40I4500KO

DIODE GP 4.5KV 43A ISOPLUS264

IXYS

5,071 -
DHG40I4500KO

数据表

- ISOPLUS264™ Tube Active Standard 4500 V 3 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.45 µs 100 µA @ 4500 V 13pF @ 1.8kV, 1MHz 43A - - Through Hole ISOPLUS264™ -40°C ~ 150°C
W0944WC120

W0944WC120

DIODE GEN PURP 1.2KV 944A W1

IXYS

4,568 -
W0944WC120

数据表

- DO-200AB, A-PUK Box Active Standard 1200 V 1.45 V @ 1930 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 1200 V - 944A - - Clamp On W1 -40°C ~ 190°C
W0944WC150

W0944WC150

DIODE GEN PURP 1.5KV 944A W1

IXYS

9,976 -
W0944WC150

数据表

- DO-200AB, A-PUK Box Active Standard 1500 V 1.45 V @ 1930 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 1500 V - 944A - - Clamp On W1 -40°C ~ 190°C
DCG35C1200HR

DCG35C1200HR

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18A ISO247

IXYS

8,464 -
DCG35C1200HR

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1.5pF @ 0V, 1MHz 18A - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
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