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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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DSAI75-12B

DSAI75-12B

DIODE AVAL 1.2KV 110A DO203AB

IXYS

7,320 -
DSAI75-12B

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Box Obsolete Avalanche 1200 V 1.17 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 1200 V - 110A - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
DPG30I400HA

DPG30I400HA

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247

IXYS

9,690 -
DPG30I400HA

数据表

HiPerFRED²™ TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 1 µA @ 400 V 32pF @ 200V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
DHG20I600HA

DHG20I600HA

DIODE GEN PURP 600V 20A TO247

IXYS

2,177 -
DHG20I600HA

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 2.24 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 25 µA @ 600 V - 20A - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
DSA1-12D

DSA1-12D

DIODE AVALANCHE 1.2KV 2.3A

IXYS

9,568 -
DSA1-12D

数据表

- Radial Box Active Avalanche 1200 V 1.34 V @ 7 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 700 µA @ 1200 V - 2.3A - - Through Hole - -40°C ~ 150°C
DSA300I200NA

DSA300I200NA

DIODE SCHOTTKY 200V 300A SOT227B

IXYS

2,194 -
DSA300I200NA

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete Schottky 200 V 1.03 V @ 300 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 200 V 2220pF @ 24V, 1MHz 300A - - Chassis Mount SOT-227B -
DHG30I600PA

DHG30I600PA

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

IXYS

5,302 -
DHG30I600PA

数据表

- TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 2.37 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 150°C
DSEP30-12B

DSEP30-12B

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

IXYS

8,000 -
DSEP30-12B

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 3.75 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V 12pF @ 600V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
DHG5I600PM

DHG5I600PM

DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP

IXYS

7,018 -
DHG5I600PM

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 2.2 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V - 5A - - Through Hole TO-220ACFP -55°C ~ 150°C
DHG20I1200HA

DHG20I1200HA

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO247

IXYS

6 -
DHG20I1200HA

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 2.24 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 1200 V - 20A - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
DSI45-08A

DSI45-08A

DIODE GEN PURP 800V 45A TO247AD

IXYS

4,990 -
DSI45-08A

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 800 V 1.28 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 800 V - 45A - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 175°C
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