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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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DSI30-12AS-TRL

DSI30-12AS-TRL

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AA

IXYS

8,015 -
DSI30-12AS-TRL

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1200 V 10pF @ 400V, 1MHz 30A - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 175°C
DSI45-16A

DSI45-16A

DIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247AD

IXYS

978 -
DSI45-16A

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 1.28 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1600 V - 45A - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 175°C
DSEI20-12A

DSEI20-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC

IXYS

846 -
DSEI20-12A

数据表

- TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 2.15 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 750 µA @ 1200 V - 17A - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
DSEP30-12A

DSEP30-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD

IXYS

5,978 -
DSEP30-12A

数据表

HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 2.74 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 250 µA @ 1200 V - 30A - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DSEI60-02A

DSEI60-02A

DIODE GEN PURP 200V 69A TO247AD

IXYS

137 -
DSEI60-02A

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 1.08 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 50 µA @ 200 V - 69A - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
DH40-18A

DH40-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 40A TO247AD

IXYS

406 -
DH40-18A

数据表

SONIC-FRD™ TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 2.7 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 100 µA @ 1800 V - 40A - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
DSEI120-06A

DSEI120-06A

DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD

IXYS

653 -
DSEI120-06A

数据表

FRED TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 1.3 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 3 mA @ 600 V - 77A - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
DSDI60-18A

DSDI60-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 63A TO247AD

IXYS

2,767 -
DSDI60-18A

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 4.1 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 2 mA @ 1800 V - 63A - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
DMA150E1600NA

DMA150E1600NA

DIODE GP 1.6KV 150A SOT227B

IXYS

187 -
DMA150E1600NA

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Standard 1600 V 1.15 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1600 V 60pF @ 400V, 1MHz 150A - - Chassis Mount SOT-227B -40°C ~ 150°C
UGE1112AY4

UGE1112AY4

DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

IXYS

36 -
UGE1112AY4

数据表

- UGE Box Active Standard 8000 V 6.25 V @ 7 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 8000 V - 4.2A - - Chassis Mount UGE -
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