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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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DCG10P1200HR

DCG10P1200HR

DIODE SCHOTT 1.2KV 12.5A ISO247

IXYS

3,586 -
DCG10P1200HR

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 755pF @ 0V, 1MHz 12.5A - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
DCG17P1200HR

DCG17P1200HR

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18A ISO247

IXYS

6,538 -
DCG17P1200HR

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz 18A - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
DCG20C1200HR

DCG20C1200HR

DIODE SIC 1.2KV 12.5A ISO247

IXYS

3,933 -
DCG20C1200HR

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 755pF @ 0V, 1MHz 12.5A - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
M0358WC120

M0358WC120

DIODE GEN PURP 1.2KV 358A W1

IXYS

5,792 -
M0358WC120

数据表

- DO-200AB, A-PUK Box Active Standard 1200 V 2.1 V @ 750 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.4 µs 20 mA @ 1200 V - 358A - - Clamp On W1 -40°C ~ 125°C
W1263YC160

W1263YC160

DIODE GEN PURP 1.6KV 1263A

IXYS

7,008 -
W1263YC160

数据表

- DO-200AB, B-PUK Box Active Standard 1600 V 2.12 V @ 3770 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 17 µs 30 mA @ 1600 V - 1263A - - Clamp On - -40°C ~ 175°C
W1263YC200

W1263YC200

DIODE GEN PURP 2KV 1263A W2

IXYS

5,613 -
W1263YC200

数据表

- DO-200AB, A-PUK Box Active Standard 2000 V 2.12 V @ 3770 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 17 µs 30 mA @ 2000 V - 1263A - - Clamp On W2 -40°C ~ 175°C
M0358WC180

M0358WC180

DIODE GEN PURP 1.8KV 358A W1

IXYS

7,149 -
M0358WC180

数据表

- DO-200AB, A-PUK Box Active Standard 1800 V 2.1 V @ 750 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.4 µs 20 mA @ 1800 V - 358A - - Clamp On W1 -40°C ~ 125°C
ME0500-06DA

ME0500-06DA

DIODE GEN PURP 600V 514A Y4-M6

IXYS

9,929 -
ME0500-06DA

数据表

- Y4-M6 Bulk Obsolete Standard 600 V 1.36 V @ 300 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 24 mA @ 600 V - 514A - - Chassis Mount Y4-M6 -
M0437WC080

M0437WC080

DIODE GEN PURP 80V 437A W1

IXYS

6,882 -
M0437WC080

数据表

- DO-200AB, A-PUK Box Active Standard 80 V 1.47 V @ 635 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 80 V - 437A - - Clamp On W1 -40°C ~ 125°C
M0437WC140

M0437WC140

DIODE GEN PURP 1.4KV 437A W1

IXYS

8,867 -
M0437WC140

数据表

- DO-200AB, A-PUK Box Active Standard 1400 V 1.47 V @ 635 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 1400 V - 437A - - Clamp On W1 -40°C ~ 125°C
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