富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UES1106E3

UES1106E3

RECTIFIER

Microchip Technology

3,048 -
UES1106E3

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
UES1102

UES1102

DIODE GEN PURP 100V 2A A AXIAL

Microchip Technology

5,904 -
UES1102

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 100 V 975 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - 2A - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 175°C
1N6076

1N6076

DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Microchip Technology

8,886 -
1N6076

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 50 V 1.76 V @ 18.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V - 1.3A - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 155°C
1N6077

1N6077

DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Microchip Technology

6,073 -
1N6077

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1.76 V @ 18.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V - 1.3A - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 155°C
1N4500

1N4500

DIODE GEN PURP DO35

Microchip Technology

9,707 -
1N4500

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard - 1.1 V @ 300 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 6 ns - - - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
UES1106/TR

UES1106/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A

Microchip Technology

6,461 -
UES1106/TR

数据表

- A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - 1A - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 150°C
UES1106E3/TR

UES1106E3/TR

RECTIFIER UFR,FRR

Microchip Technology

8,948 -
UES1106E3/TR

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
JANTXV1N6626

JANTXV1N6626

DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Microchip Technology

6,529 -
JANTXV1N6626

数据表

- E, Axial Bulk Active Standard 220 V 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 220 V 40pF @ 10V, 1MHz 1.75A Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 150°C
UES1102/TR

UES1102/TR

DIODE GEN PURP 100V 2A A AXIAL

Microchip Technology

6,363 -
UES1102/TR

数据表

- A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 975 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - 2A - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 175°C
1N6077/TR

1N6077/TR

DIODE GEN PURP 100V 1.3A

Microchip Technology

3,317 -
1N6077/TR

数据表

- A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 1.76 V @ 18.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V - 1.3A - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 155°C
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户