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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
S12MR

S12MR

DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,904 -
S12MR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S12Q

S12Q

DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,729 -
S12Q

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1200 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S12QR

S12QR

DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,935 -
S12QR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
1N1186AR

1N1186AR

DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,703 -
1N1186AR

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Obsolete Standard, Reverse Polarity 200 V 1.1 V @ 40 A - - 10 µA @ 50 V - 40A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
GKN26/08

GKN26/08

DIODE GEN PURP 800V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,622 -
GKN26/08

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 800 V 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 800 V - 25A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
GKR26/08

GKR26/08

DIODE GEN PURP 800V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,499 -
GKR26/08

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 800 V 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 800 V - 25A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
1N1202AR

1N1202AR

DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5

GeneSiC Semiconductor

4,626 -
1N1202AR

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
GD05MPS17J

GD05MPS17J

DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

6,101 -
GD05MPS17J

数据表

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
GKN26/04

GKN26/04

DIODE GEN PURP 400V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,234 -
GKN26/04

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 400 V 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 400 V - 25A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
S16B

S16B

DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA

GeneSiC Semiconductor

6,898 -
S16B

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 16A - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
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