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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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FR6B02

FR6B02

DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,980 -
FR6B02

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR6D02

FR6D02

DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,538 -
FR6D02

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR6G02

FR6G02

DIODE GEN PURP 400V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,753 -
FR6G02

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 400 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR6G05

FR6G05

DIODE GEN PURP 400V 16A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,148 -
FR6G05

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 400 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 50 V - 16A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR6J02

FR6J02

DIODE GEN PURP 600V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

9,483 -
FR6J02

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 25 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR6J05

FR6J05

DIODE GEN PURP 600V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,971 -
FR6J05

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR6K05

FR6K05

DIODE GEN PURP 800V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

5,186 -
FR6K05

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR6M05

FR6M05

DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,210 -
FR6M05

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
GB05SLT12-220

GB05SLT12-220

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

4,838 -
GB05SLT12-220

数据表

- TO-220-2 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 260pF @ 1V, 1MHz 5A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
1N3880R

1N3880R

DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,355 -
1N3880R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
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