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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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S16MR

S16MR

DIODE GEN PURP 1KV 16A DO220AA

GeneSiC Semiconductor

3,637 -
S16MR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 16A - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
S16Q

S16Q

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA

GeneSiC Semiconductor

5,768 -
S16Q

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1200 V 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 16A - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
S16QR

S16QR

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO220AA

GeneSiC Semiconductor

7,932 -
S16QR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 16A - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
GKN26/12

GKN26/12

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,267 -
GKN26/12

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1200 V 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1200 V - 25A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
GKR26/12

GKR26/12

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,589 -
GKR26/12

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1200 V 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1200 V - 25A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
GKR26/14

GKR26/14

DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,146 -
GKR26/14

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1400 V 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1400 V - 25A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
GKR26/16

GKR26/16

DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,961 -
GKR26/16

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1600 V 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1600 V - 25A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
GC08MPS12-252

GC08MPS12-252

DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

7,171 -
GC08MPS12-252

数据表

SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 7 µA @ 1200 V 545pF @ 1V, 1MHz 40A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
1N3880

1N3880

DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,319 -
1N3880

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3882

1N3882

DIODE GEN PURP 300V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,787 -
1N3882

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 300 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
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