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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
S12BR

S12BR

DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,565 -
S12BR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S12D

S12D

DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,902 -
S12D

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S12DR

S12DR

DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,818 -
S12DR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S12G

S12G

DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,382 -
S12G

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 400 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S12GR

S12GR

DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,458 -
S12GR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S12J

S12J

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,145 -
S12J

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S12JR

S12JR

DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,353 -
S12JR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S12K

S12K

DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,328 -
S12K

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S12KR

S12KR

DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,583 -
S12KR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S12M

S12M

DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

5,930 -
S12M

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
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