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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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GB05SLT12-252

GB05SLT12-252

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252

GeneSiC Semiconductor

7,573 -
GB05SLT12-252

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 260pF @ 1V, 1MHz 5A - - Surface Mount TO-252 -55°C ~ 175°C
GC05MPS12-252

GC05MPS12-252

DIODE SIL CARB 1.2KV 27A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

6,730 -
GC05MPS12-252

数据表

SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 4 µA @ 1200 V 359pF @ 1V, 1MHz 27A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
S6B

S6B

DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,975 -
S6B

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6BR

S6BR

DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

5,296 -
S6BR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6D

S6D

DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,555 -
S6D

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6DR

S6DR

DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,886 -
S6DR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6G

S6G

DIODE GEN PURP 400V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,768 -
S6G

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 400 V 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6GR

S6GR

DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,180 -
S6GR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6J

S6J

DIODE GEN PURP 600V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,598 -
S6J

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6JR

S6JR

DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,449 -
S6JR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
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