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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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RGT00TS65DGC11

RGT00TS65DGC11

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Rohm Semiconductor

319 -
RGT00TS65DGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 150 A 2.1V @ 15V, 50A 277 W Through Hole - Standard 85 A 94 nC 42ns/137ns - 400V, 50A, 10Ohm, 15V TO-247N - 54 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTH60TK65GC11

RGTH60TK65GC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM

Rohm Semiconductor

307 -
RGTH60TK65GC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 120 A 2.1V @ 15V, 30A 61 W Through Hole - Standard 28 A 58 nC 27ns/105ns - 400V, 30A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGWS60TS65DGC13

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IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RGWS60TS65DGC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 90 A 2V @ 15V, 30A 156 W Through Hole 500µJ (on), 450µJ (off) Standard 51 A 58 nC 32ns/91ns - 400V, 30A, 10Ohm, 15V TO-247G - 88 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
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IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM

Rohm Semiconductor

102 -
RGW60TK65GVC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 120 A 1.9V @ 15V, 30A 72 W Through Hole 480µJ (on), 490µJ (off) Standard 33 A 84 nC 37ns/114ns - 400V, 30A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTV60TK65GVC11

RGTV60TK65GVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450 -
RGTV60TK65GVC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 120 A 1.9V @ 15V, 30A 76 W Through Hole 570µJ (on), 500µJ (off) Standard 33 A 64 nC 33ns/105ns - 400V, 30A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - - -40°C ~ 175°C (TJ)
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IGBT TRENCH FS 600V 65A TO247G

Rohm Semiconductor

569 -
RGCL80TS60GC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 160 A 1.8V @ 15V, 40A 148 W Through Hole 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) Standard 65 A 98 nC 53ns/227ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247G - - -40°C ~ 175°C (TJ)
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IGBT TRNCH FIELD 650V 23A TO3PFM

Rohm Semiconductor

440 -
RGTH40TK65DGC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 2.1V @ 15V, 20A 56 W Through Hole - Standard 23 A 40 nC 22ns/73ns - 400V, 20A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
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IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RGWS00TS65GC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 150 A 2V @ 15V, 50A 245 W Through Hole 980µJ (on), 910µJ (off) Standard 88 A 108 nC 46ns/145ns - 400V, 50A, 10Ohm, 15V TO-247G - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGCL60TS60DGC13

RGCL60TS60DGC13

IGBT TRNCH FIELD 600V 48A TO247G

Rohm Semiconductor

598 -
RGCL60TS60DGC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 120 A 1.8V @ 15V, 30A 111 W Through Hole 770µJ (on), 1.11mJ (off) Standard 48 A 68 nC 44ns/186ns - 400V, 30A, 10Ohm, 15V TO-247G - 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTH50TK65DGC11

RGTH50TK65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM

Rohm Semiconductor

443 -
RGTH50TK65DGC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 100 A 2.1V @ 15V, 25A 59 W Through Hole - Standard 26 A 49 nC 27ns/94ns - 400V, 25A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
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