| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | IGBT 类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic | 功率 - 最大值 | 安装类型 | 开关能量 | 输入类型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 栅极电荷 | 导通/关断时间 (Td) @ 25°C | 认证 | 测试条件 | 供应商设备封装 | 等级 | 反向恢复时间 (trr) | 工作温度 |
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RGW00TS65HRC11IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N Rohm Semiconductor |
2,502 | - |
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数据表 |
- | TO-247-3 | Tube | Active | Trench Field Stop | 650 V | 200 A | 1.9V @ 15V, 50A | 254 W | Through Hole | - | Standard | 96 A | 141 nC | 48ns/186ns | - | 400V, 25A, 10Ohm, 15V | TO-247N | - | - | -40°C ~ 175°C (TJ) |
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RGT60TS65DGC11IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N Rohm Semiconductor |
4 | - |
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数据表 |
- | TO-247-3 | Tube | Not For New Designs | Trench Field Stop | 650 V | 90 A | 2.1V @ 15V, 30A | 194 W | Through Hole | - | Standard | 55 A | 58 nC | 29ns/100ns | - | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | TO-247N | - | 58 ns | -40°C ~ 175°C (TJ) |