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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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RGW00TS65HRC11

RGW00TS65HRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

Rohm Semiconductor

2,502 -
RGW00TS65HRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 200 A 1.9V @ 15V, 50A 254 W Through Hole - Standard 96 A 141 nC 48ns/186ns - 400V, 25A, 10Ohm, 15V TO-247N - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGT60TS65DGC11

RGT60TS65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N

Rohm Semiconductor

4 -
RGT60TS65DGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 90 A 2.1V @ 15V, 30A 194 W Through Hole - Standard 55 A 58 nC 29ns/100ns - 400V, 30A, 10Ohm, 15V TO-247N - 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
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