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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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RGWX5TS65DHRC11

RGWX5TS65DHRC11

IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N

Rohm Semiconductor

332 -
RGWX5TS65DHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 300 A 1.9V @ 15V, 75A 348 W Through Hole - Standard 132 A 213 nC 62ns/237ns - 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V TO-247N - 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGT60TS65DGC13

RGT60TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247G

Rohm Semiconductor

554 -
RGT60TS65DGC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 90 A 2.1V @ 15V, 30A 194 W Through Hole - Standard 55 A 58 nC 29ns/100ns - 400V, 30A, 10Ohm, 15V TO-247G - 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW80TK65DGVC11

RGW80TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

Rohm Semiconductor

440 -
RGW80TK65DGVC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 160 A 1.9V @ 15V, 40A 81 W Through Hole 760µJ (on), 720µJ (off) Standard 39 A 110 nC 44ns/143ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTH00TS65DGC13

RGTH00TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G

Rohm Semiconductor

581 -
RGTH00TS65DGC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 200 A 2.1V @ 15V, 50A 277 W Through Hole - Standard 85 A 94 nC 39ns/143ns - 400V, 50A, 10Ohm, 15V TO-247G - 54 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGS80TSX2GC11

RGS80TSX2GC11

IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247N

Rohm Semiconductor

249 -
RGS80TSX2GC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 120 A 2.1V @ 15V, 40A 555 W Through Hole 3mJ (on), 3.1mJ (off) Standard 80 A 104 nC 49ns/199ns - 600V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247N - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW60TS65DHRC11

RGW60TS65DHRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N

Rohm Semiconductor

380 -
RGW60TS65DHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 120 A 1.9V @ 15V, 30A 178 W Through Hole - Standard 64 A 84 nC 36ns/107ns - 400V, 15A, 10Ohm, 15V TO-247N - 87 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGWSX2TS65DGC13

RGWSX2TS65DGC13

IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RGWSX2TS65DGC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 180 A 2V @ 15V, 60A 288 W Through Hole 1.43mJ (on), 1.2mJ (off) Standard 104 A 140 nC 55ns/180ns - 400V, 60A, 10Ohm, 15V TO-247G - 88 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGT80TS65DGC13

RGT80TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RGT80TS65DGC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 120 A 2.1V @ 15V, 40A 234 W Through Hole - Standard 70 A 79 nC 34ns/119ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247G - 236 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTVX6TS65GC11

RGTVX6TS65GC11

IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N

Rohm Semiconductor

280 -
RGTVX6TS65GC11

数据表

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 320 A 1.9V @ 15V, 80A 404 W Through Hole 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) Standard 144 A 171 nC 45ns/201ns - 400V, 80A, 10Ohm, 15V TO-247N - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW60TS65EHRC11

RGW60TS65EHRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N

Rohm Semiconductor

390 -
RGW60TS65EHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 120 A 1.9V @ 15V, 30A 178 W Through Hole - Standard 64 A 84 nC 37ns/101ns - 400V, 15A, 10Ohm, 15V TO-247N - 146 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
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