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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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RGTH60TK65DGC11

RGTH60TK65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM

Rohm Semiconductor

403 -
RGTH60TK65DGC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 120 A 2.1V @ 15V, 30A 61 W Through Hole - Standard 28 A 58 nC 27ns/105ns - 400V, 30A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW40TS65GC11

RGW40TS65GC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N

Rohm Semiconductor

900 -
RGW40TS65GC11

数据表

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 80 A 1.9V @ 15V, 20A 136 W Through Hole 330µJ (on), 300µJ (off) Standard 40 A 59 nC 33ns/76ns - 400V, 20A, 10Ohm, 15V TO-247N - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTH00TK65GC11

RGTH00TK65GC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM

Rohm Semiconductor

403 -
RGTH00TK65GC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 200 A 2.1V @ 15V, 50A 72 W Through Hole - Standard 35 A 94 nC 39ns/143ns - 400V, 50A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTV00TK65GVC11

RGTV00TK65GVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM

Rohm Semiconductor

435 -
RGTV00TK65GVC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 200 A 1.9V @ 15V, 50A 94 W Through Hole 1.17mJ (on), 940µJ (off) Standard 45 A 104 nC 41ns/142ns - 400V, 50A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTVX2TS65GC11

RGTVX2TS65GC11

IGBT TRENCH FLD 650V 111A TO247N

Rohm Semiconductor

412 -
RGTVX2TS65GC11

数据表

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 240 A 1.9V @ 15V, 60A 319 W Through Hole 2.08mJ (on), 1.15mJ (off) Standard 111 A 123 nC 49ns/150ns - 400V, 60A, 10Ohm, 15V TO-247N - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGT30NS65DGC9

RGT30NS65DGC9

IGBT TRENCH FIELD 650V 30A TO262

Rohm Semiconductor

2,894 -
RGT30NS65DGC9

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active Trench Field Stop 650 V 45 A 2.1V @ 15V, 15A 133 W Through Hole - Standard 30 A 32 nC 18ns/64ns - 400V, 15A, 10Ohm, 15V TO-262 - 55 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW80TS65HRC11

RGW80TS65HRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N

Rohm Semiconductor

440 -
RGW80TS65HRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 160 A 1.9V @ 15V, 40A 214 W Through Hole - Standard 80 A 110 nC 42ns/148ns - 400V, 20A, 10Ohm, 15V TO-247N - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTV80TK65DGVC11

RGTV80TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450 -
RGTV80TK65DGVC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 160 A 1.9V @ 15V, 40A 85 W Through Hole 1.02mJ (on), 710µJ (off) Standard 39 A 81 nC 39ns/113ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - 101 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTH00TK65DGC11

RGTH00TK65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM

Rohm Semiconductor

448 -
RGTH00TK65DGC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 200 A 2.1V @ 15V, 50A 72 W Through Hole - Standard 35 A 94 nC 39ns/143ns - 400V, 50A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - 225 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGT50NS65DGTL

RGT50NS65DGTL

IGBT TRENCH FIELD 650V 48A LPDS

Rohm Semiconductor

1,014 -
RGT50NS65DGTL

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 75 A 2.1V @ 15V, 25A 194 W Surface Mount - Standard 48 A 49 nC 27ns/88ns - 400V, 25A, 10Ohm, 15V LPDS - 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
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