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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度
RGW80TS65DHRC11

RGW80TS65DHRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N

Rohm Semiconductor

446 -
RGW80TS65DHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 160 A 1.9V @ 15V, 40A 214 W Through Hole - Standard 80 A 110 nC 42ns/148ns - 400V, 20A, 10Ohm, 15V TO-247N - 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW80TK65EGVC11

RGW80TK65EGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450 -
RGW80TK65EGVC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 160 A 1.9V @ 15V, 40A 81 W Through Hole 760µJ (on), 720µJ (off) Standard 39 A 110 nC 44ns/143ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - 102 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGS30TSX2DGC11

RGS30TSX2DGC11

IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N

Rohm Semiconductor

215 -
RGS30TSX2DGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 45 A 2.1V @ 15V, 15A 267 W Through Hole 740µJ (on), 600µJ (off) Standard 30 A 41 nC 30ns/70ns - 600V, 15A, 10Ohm, 15V TO-247N - 157 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGT00TS65DGC13

RGT00TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RGT00TS65DGC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 150 A 2.1V @ 15V, 50A 277 W Through Hole - Standard 85 A 94 nC 42ns/137ns - 400V, 50A, 10Ohm, 15V TO-247G - 54 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW80TS65EHRC11

RGW80TS65EHRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N

Rohm Semiconductor

450 -
RGW80TS65EHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 160 A 1.9V @ 15V, 40A 214 W Through Hole - Standard 80 A 110 nC 43ns/148ns - 400V, 20A, 10Ohm, 15V TO-247N - 86 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGS50TSX2GC11

RGS50TSX2GC11

IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N

Rohm Semiconductor

136 -
RGS50TSX2GC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 75 A 2.1V @ 15V, 25A 395 W Through Hole 1.4mJ (on), 1.65mJ (off) Standard 50 A 67 nC 37ns/140ns - 600V, 25A, 10Ohm, 15V TO-247N - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGWX5TS65DGC11

RGWX5TS65DGC11

IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N

Rohm Semiconductor

400 -
RGWX5TS65DGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 300 A 1.9V @ 15V, 75A 348 W Through Hole 2.39mJ (on), 1.68mJ (off) Standard 132 A 213 nC 64ns/229ns - 400V, 75A, 10Ohm, 15V TO-247N - 101 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW00TS65DHRC11

RGW00TS65DHRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

Rohm Semiconductor

395 -
RGW00TS65DHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 200 A 1.9V @ 15V, 50A 254 W Through Hole - Standard 96 A 141 nC 48ns/186ns - 400V, 25A, 10Ohm, 15V TO-247N - 90 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGS50TSX2DGC11

RGS50TSX2DGC11

IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N

Rohm Semiconductor

450 -
RGS50TSX2DGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 75 A 2.1V @ 15V, 25A 395 W Through Hole 1.4mJ (on), 1.65mJ (off) Standard 50 A 67 nC 37ns/140ns - 600V, 25A, 10Ohm, 15V TO-247N - 182 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW00TS65EHRC11

RGW00TS65EHRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

Rohm Semiconductor

418 -
RGW00TS65EHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 200 A 1.9V @ 15V, 50A 254 W Through Hole - Standard 96 A 141 nC 50ns/183ns - 400V, 25A, 10Ohm, 15V TO-247N - 90 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
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