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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度
RGW60TS65HRC11

RGW60TS65HRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N

Rohm Semiconductor

420 -
RGW60TS65HRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 120 A 1.9V @ 15V, 30A 178 W Through Hole - Standard 64 A 84 nC 36ns/107ns - 400V, 15A, 10Ohm, 15V TO-247N - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW40TK65DGVC11

RGW40TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450 -
RGW40TK65DGVC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 1.9V @ 15V, 20A 61 W Through Hole - Standard 27 A 59 nC 33ns/76ns - 400V, 20A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTH80TS65DGC13

RGTH80TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G

Rohm Semiconductor

593 -
RGTH80TS65DGC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 160 A 2.1V @ 15V, 40A 234 W Through Hole - Standard 70 A 79 nC 34ns/120ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247G - 236 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGWS80TS65DGC13

RGWS80TS65DGC13

IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G

Rohm Semiconductor

590 -
RGWS80TS65DGC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 120 A 2V @ 15V, 40A 202 W Through Hole 700µJ (on), 660µJ (off) Standard 71 A 83 nC 40ns/114ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247G - 88 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW80TS65DGC11

RGW80TS65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N

Rohm Semiconductor

314 -
RGW80TS65DGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 160 A 1.9V @ 15V, 40A 214 W Through Hole 760µJ (on), 720µJ (off) Standard 78 A 110 nC 44ns/143ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247N - 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGCL80TS60DGC13

RGCL80TS60DGC13

IGBT TRENCH FS 600V 65A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RGCL80TS60DGC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 160 A 1.8V @ 15V, 40A 148 W Through Hole 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) Standard 65 A 98 nC 53ns/227ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247G - 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGWSX2TS65GC13

RGWSX2TS65GC13

IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RGWSX2TS65GC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 180 A 2V @ 15V, 60A 288 W Through Hole 1.43mJ (on), 1.2mJ (off) Standard 104 A 140 nC 55ns/180ns - 400V, 60A, 10Ohm, 15V TO-247G - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTH80TK65DGC11

RGTH80TK65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 31A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450 -
RGTH80TK65DGC11

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 160 A 2.1V @ 15V, 40A 66 W Through Hole - Standard 31 A 79 nC 34ns/120ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-3PFM - 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGWS00TS65DGC13

RGWS00TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RGWS00TS65DGC13

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 150 A 2V @ 15V, 50A 245 W Through Hole 980µJ (on), 910µJ (off) Standard 88 A 108 nC 46ns/145ns - 400V, 50A, 10Ohm, 15V TO-247G - 88 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGTV80TS65DGC11

RGTV80TS65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N

Rohm Semiconductor

450 -
RGTV80TS65DGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 160 A 1.9V @ 15V, 40A 234 W Through Hole 1.02mJ (on), 710µJ (off) Standard 78 A 81 nC 39ns/113ns - 400V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247N - 101 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
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