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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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IGT8292M50

IGT8292M50

RF MOSFET

Integra Technologies Inc.

10 -
IGT8292M50

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - -
BLA6H1011-600,112

BLA6H1011-600,112

TRANS AVIONICS PWR LDMOS SOT539A

NXP USA Inc.

10 -
BLA6H1011-600,112

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - -
IGN0912LM500

IGN0912LM500

RF MOSFET

Integra Technologies Inc.

9 -
IGN0912LM500

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - -
IGN2729M400R2

IGN2729M400R2

RF MOSFET

Integra Technologies Inc.

10 -
IGN2729M400R2

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - -
IGN1214M300

IGN1214M300

RF MOSFET

Integra Technologies Inc.

10 -
IGN1214M300

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - -
BLS7G3135LS-350P,1

BLS7G3135LS-350P,1

RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B

Ampleon USA Inc.

20 -
BLS7G3135LS-350P,1

数据表

- SOT-539B Bulk Active LDMOS Dual, Common Source 10dB 32 V - - 200 mA 3.5GHz 320W 65 V - SOT539B - Surface Mount
BLS8G2731LS-400PU

BLS8G2731LS-400PU

RF MOSFET LDMOS 32V SOT539B

Ampleon USA Inc.

7,555 -
BLS8G2731LS-400PU

数据表

- SOT-539B Bulk Obsolete LDMOS Dual, Common Source 13dB 32 V - - 200 mA 3.1GHz 400W 65 V - SOT539B - Surface Mount
WPGM1517050

WPGM1517050

RF MOSFET GAN 28V DIE 2PCS/PK

WAVEPIA.,Co.Ltd

4 -
WPGM1517050

数据表

- Die Bulk Active GaN - 19dB 28 V - - 720 mA 15GHz ~ 17GHz 46.65dBm 32 V - Die - -
MRF6VP21KHR5

MRF6VP21KHR5

RF MOSFET LDMOS 50V NI1230

NXP USA Inc.

3 -
MRF6VP21KHR5

数据表

- NI-1230 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS Dual 24dB 50 V - - 150 mA 225MHz 1000W 110 V - NI-1230 - Chassis Mount
MRF8P9040NR1

MRF8P9040NR1

RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4

Freescale Semiconductor

40 -
MRF8P9040NR1

数据表

- TO-272BB Bulk Active LDMOS Dual 19.1dB 28 V - - 320 mA 960MHz 4W 70 V - TO-272 WB-4 - Chassis Mount
MRF300AN

MRF300AN

RF MOSFET LDMOS 50V TO247-3

NXP Semiconductors

60 -
MRF300AN

数据表

- TO-247-3 Bulk Active LDMOS N-Channel 28.2dB 50 V 10µA - 100 mA 1.8MHz ~ 250MHz 300W 133 V - TO-247-3 - Through Hole
MRF373R1

MRF373R1

RF MOSFET N-CHANNEL NI360

Freescale Semiconductor

60 -
MRF373R1

数据表

- NI-360 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 14.7dB - 7A - - 470MHz ~ 860MHz 60W 65 V - NI-360 - Chassis Mount
MRFX035HR5

MRFX035HR5

RF MOSFET LDMOS

NXP USA Inc.

6 -
MRFX035HR5

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
MRF6S21060NBR1

MRF6S21060NBR1

RF MOSFET

Freescale Semiconductor

22 -
MRF6S21060NBR1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
BLF1046,112

BLF1046,112

RF MOSFET LDMOS

NXP Semiconductors

20 -
BLF1046,112

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
CLF1G0035-50H

CLF1G0035-50H

RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT467C

Ampleon USA Inc.

2 -
CLF1G0035-50H

数据表

- SOT467C Tray Active GaN HEMT - 11.5dB 50 V - - 150 mA 3GHz 50W 150 V - SOT467C - -
CLF1G0035-100PU

CLF1G0035-100PU

RF MOSFET GAN HEMT 50V LDMOST

NXP USA Inc.

25 -
CLF1G0035-100PU

数据表

- SOT-1228A Bulk Active GaN HEMT - 14dB 50 V - - 100 mA 3GHz 100W 150 V - LDMOST - Chassis Mount
CLF1G0035-200P

CLF1G0035-200P

RF MOSFET

NXP Semiconductors

9 -
CLF1G0035-200P

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
MMRF5014HR5

MMRF5014HR5

RF MOSFET N-CHANNEL 50V NI360

NXP Semiconductors

17 -
MMRF5014HR5

数据表

- NI-360H-2SB Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 18dB 50 V 5mA - 350 mA 1MHz ~ 2.7GHz 125W 125 V - NI-360H-2SB - Chassis Mount
AFV10700HR5

AFV10700HR5

RF MOSFET LDMOS 52V NI780

NXP Semiconductors

12 -
AFV10700HR5

数据表

- NI-780-4 Bulk Active LDMOS (Dual) 2 N-Channel 19.2dB 52 V 1µA - 100 mA 960MHz ~ 1.215GHz 700W 105 V - NI-780-4 - Chassis Mount
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