富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型
BLP05H6150XRGY

BLP05H6150XRGY

RF MOSFET LDMOS 50V 4HSOP

Ampleon USA Inc.

7,696 -
BLP05H6150XRGY

数据表

- 4-BESOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key LDMOS Dual, Common Source 27dB 50 V - - 100 mA 108MHz 150W 135 V - 4-HSOP - Surface Mount
LET9060S

LET9060S

RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF

STMicroelectronics

24 -
LET9060S

数据表

- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) Tube Obsolete LDMOS - 17.2dB 28 V 12A - 300 mA 960MHz 60W 80 V - PowerSO-10RF (Straight Lead) - -
MRF7S38010HSR5

MRF7S38010HSR5

RF MOSFET LDMOS 30V NI400

Freescale Semiconductor

20 -
MRF7S38010HSR5

数据表

- NI-400S-2S Bulk Active LDMOS - 15dB 30 V - - 160 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 2W 65 V - NI-400S-2S - -
MRF6S18100NBR1

MRF6S18100NBR1

RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4

Freescale Semiconductor

25 -
MRF6S18100NBR1

数据表

- TO-272BB Bulk Active LDMOS - 14.5dB 28 V - - 900 mA 1.99GHz 100W 68 V - TO-272 WB-4 - -
MRFG35010AR5

MRFG35010AR5

RF MOSFET PHEMT FET 12V NI360

Freescale Semiconductor

14 -
MRFG35010AR5

数据表

- NI-360HF Bulk Obsolete pHEMT FET - 10dB 12 V - - 140 mA 3.55GHz 1W 15 V - NI-360HF - Chassis Mount
BLF7G24L-100,112

BLF7G24L-100,112

RF MOSFET LDMOS 28V SOT502A

NXP USA Inc.

19 -
BLF7G24L-100,112

数据表

- SOT-502A Tube Obsolete LDMOS - 18dB 28 V 28A - 900 mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 20W 65 V - SOT502A - Chassis Mount
BLC8G27LS-140AVZ

BLC8G27LS-140AVZ

RF MOSFET LDMOS 28V DFM6

Ampleon USA Inc.

5,968 -
BLC8G27LS-140AVZ

数据表

- SOT-1275-1 Bulk Obsolete LDMOS Dual, Common Source 14.5dB 28 V - - 320 mA 2.5GHz ~ 2.69GHz 28W 65 V - DFM6 - Chassis Mount
WP2806015UH

WP2806015UH

RF MOSFET GAN HEMT 28V 360BH

WAVEPIA.,Co.Ltd

10 -
WP2806015UH

数据表

- 360BH Box Active GaN HEMT - 11.6dB 28 V - - 150 mA 6GHz 8W 160 V - 360BH - Surface Mount
MRF6S21050LSR5

MRF6S21050LSR5

RF MOSFET LDMOS 28V NI400

Freescale Semiconductor

10 -
MRF6S21050LSR5

数据表

- NI-400S Bulk Active LDMOS - 16dB 28 V - - 450 mA 2.16GHz 11.5W 68 V - NI-400S - -
BLC10M6XS200Z

BLC10M6XS200Z

RF MOSFET LDMOS 28V SOT1270-1

Ampleon USA Inc.

4,754 -
BLC10M6XS200Z

数据表

- SOT-1270-1 Bulk Obsolete LDMOS - 19.5dB 28 V 4.2µA - 350 mA 425MHz ~ 450MHz 200W 65 V - SOT-1270-1 - Surface Mount
BLF7G27LS-90P,112

BLF7G27LS-90P,112

RF MOSFET LDMOS 28V LDMOST

NXP USA Inc.

16 -
BLF7G27LS-90P,112

数据表

- SOT-1121B Tube Active LDMOS Dual, Common Source 18.5dB 28 V 18A - 720 mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16W 65 V - LDMOST - -
PD20015C

PD20015C

RF MOSFET LDMOS 13.6V M243

STMicroelectronics

18 -
PD20015C

数据表

- M243 Box Obsolete LDMOS - 11dB 13.6 V 7A - 350 mA 2GHz 15W 40 V - M243 - -
PD57070-E

PD57070-E

RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF

STMicroelectronics

18 -
PD57070-E

数据表

- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Tube Obsolete LDMOS - 14.7dB 28 V 7A - 250 mA 945MHz 70W 65 V - PowerSO-10RF (Formed Lead) - -
BLF8G10LS-270V,112

BLF8G10LS-270V,112

RF MOSFET LDMOS 28V CDFM6

NXP USA Inc.

8 -
BLF8G10LS-270V,112

数据表

- SOT-1244B Tube Active LDMOS - 19.5dB 28 V - - 2 A 871.5MHz ~ 891.5MHz 67W 65 V - CDFM6 - -
BLF6G38LS-50,112

BLF6G38LS-50,112

RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B

Ampleon USA Inc.

3,866 -
BLF6G38LS-50,112

数据表

- SOT-502B Bulk Obsolete LDMOS - 14dB 28 V 16.5A - 450 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 9W 65 V - SOT502B - Chassis Mount
BLA1011-2,112

BLA1011-2,112

FET RF 75V 1.09GHZ SOT538A

NXP USA Inc.

19 -
BLA1011-2,112

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - -
MRF6S27085HSR5

MRF6S27085HSR5

RF MOSFET LDMOS 28V NI780

Freescale Semiconductor

5 -
MRF6S27085HSR5

数据表

- NI-780S Bulk Obsolete LDMOS - 15.5dB 28 V - - 900 mA 2.66GHz 20W 68 V - NI-780S - Chassis Mount
CGH35015F

CGH35015F

RF MOSFET HEMT 28V 440196

MACOM Technology Solutions

19 -
CGH35015F

数据表

GaN 440196 Tray Obsolete HEMT - 12dB 28 V - - 100 mA 3.3GHz ~ 3.9GHz 15W 84 V - 440196 - Surface Mount
BLC10G22XS-600AVTZ

BLC10G22XS-600AVTZ

RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-4

Ampleon USA Inc.

24 -
BLC10G22XS-600AVTZ

数据表

- SOT-1258-4 Tray Active LDMOS Dual, Common Source 15.4dB 32 V 2.8µA - 1.15 A 2.11GHz ~ 2.17GHz 600W 65 V - SOT1258-4 - Surface Mount
BLD6G22L-50,112

BLD6G22L-50,112

RF MOSFET LDMOS 28V CDFM4

NXP USA Inc.

20 -
BLD6G22L-50,112

数据表

- SOT-1130A Tray Obsolete LDMOS Dual, Common Source 14dB 28 V 10.2A - 170 mA 2.14GHz 8W 65 V - CDFM4 - Chassis Mount
共 3380 条记录«上一页1... 4748495051525354...169下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户