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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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A3G26D055N-100

A3G26D055N-100

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

NXP USA Inc.

3,247 -
A3G26D055N-100

数据表

- 6-LDFN Exposed Pad Bulk Active GaN - 13.9dB 48 V - - 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 8W 125 V - 6-PDFN (7x6.5) - Surface Mount
A3G26D055N-1805

A3G26D055N-1805

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

NXP USA Inc.

6,751 -
A3G26D055N-1805

数据表

- 6-LDFN Exposed Pad Bulk Active GaN - 13.9dB 48 V - - 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 8W 125 V - 6-PDFN (7x6.5) - Surface Mount
MRF24G300HS-2STG

MRF24G300HS-2STG

RF MOSFET GAN 48V NI780

NXP USA Inc.

1 -
MRF24G300HS-2STG

数据表

- NI-780S-4L Bulk Active GaN - 15.3dB 48 V - - - 2.4GHz ~ 2.5GHz 336W 125 V - NI-780S-4L - Surface Mount
CGHV38375F

CGHV38375F

RF MOSFET GAN 50V 440226

MACOM Technology Solutions

1 -
CGHV38375F

数据表

- 440226 Tray Active GaN - 12.5dB 50 V - - 500 mA 2.75GHz ~ 3.75GHz 400W 150 V - 440226 - -
PD85035-E

PD85035-E

RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF

STMicroelectronics

6,013 -
PD85035-E

数据表

- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Tube Active LDMOS - 17dB 13.6 V 8A - 350 mA 870MHz 15W 40 V - PowerSO-10RF (Formed Lead) - -
MRFE6VP5150NR1

MRFE6VP5150NR1

RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4

NXP USA Inc.

7,812 -
MRFE6VP5150NR1

数据表

- TO-270AB Tape & Reel (TR) Active LDMOS Dual 26.1dB 50 V - - 100 mA 230MHz 150W 133 V - TO-270 WB-4 - Surface Mount
MWT-3F

MWT-3F

RF MOSFET MESFET 4V CHIP

CML Micro

3,024 -
MWT-3F

数据表

- Die Case Not For New Designs MESFET - 11dB 4 V 110mA - 110 mA 500MHz ~ 26GHz 22dBm 6 V - Chip - -
MWT-PH4F

MWT-PH4F

RF MOSFET MESFET 3V CHIP

CML Micro

5,682 -
MWT-PH4F

数据表

- Die Case Active MESFET - 16dB 3 V 84mA - 84 mA 28GHz 22dBm - - Chip - -
MWT-9F

MWT-9F

RF MOSFET MESFET 4V CHIP

CML Micro

9,341 -
MWT-9F

数据表

- Die Case Not For New Designs MESFET - 8.5dB 4 V 270mA - 270 mA 500MHz ~ 18GHz 26.5dBm 6 V - Chip - -
MWT-1F

MWT-1F

RF MOSFET MESFET 4V CHIP

CML Micro

3,658 -
MWT-1F

数据表

- Die Case Not For New Designs MESFET - 7dB 4 V 230mA 2dB 230 mA 100MHz ~ 12GHz - 6 V - Chip - -
PTVA120501EA-V1-R0

PTVA120501EA-V1-R0

RF MOSFET LDMOS 50V H-36265-2

MACOM Technology Solutions

4,270 -
PTVA120501EA-V1-R0

数据表

- H-36265-2 Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 17dB 50 V - - 50 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 50W 105 V - H-36265-2 - Chassis Mount
MWT-PH9F

MWT-PH9F

RF MOSFET MESFET 4V CHIP

CML Micro

8,373 -
MWT-PH9F

数据表

- Die Case Active MESFET - - 4 V 220mA - 220 mA 26GHz 27dBm 7 V - Chip - -
BLC10G18XS-551AVTZ

BLC10G18XS-551AVTZ

RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-4

Ampleon USA Inc.

3,056 -
BLC10G18XS-551AVTZ

数据表

- SOT-1258-4 Tray Active LDMOS Dual, Common Source 16.1dB 32 V 2.8µA - 750 mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 550W 65 V - SOT1258-4 - Surface Mount
MWT-PH15F

MWT-PH15F

RF MOSFET MESFET 4V CHIP

CML Micro

4,163 -
MWT-PH15F

数据表

- Die Case Active MESFET - 12dB 4 V 170mA - 170 mA 28GHz 28.5dBm 6 V - Chip - -
BLF0910H9LS600U

BLF0910H9LS600U

RF MOSFET LDMOS 50V SOT502B

Ampleon USA Inc.

9,649 -
BLF0910H9LS600U

数据表

- SOT-502B Tray Active LDMOS - 18.6dB 50 V 2.8µA - 90 mA 900MHz ~ 930MHz 600W 108 V - SOT502B - Chassis Mount
MRF151A

MRF151A

RF MOSFET 50V P-244

MACOM Technology Solutions

1 -
MRF151A

数据表

- P-244 Tray Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 13dB ~ 22dB 50 V 16A - 250 mA 30MHz ~ 175MHz 150W 125 V - P-244 - -
MRFX600HR5

MRFX600HR5

RF MOSFET LDMOS 65V NI780

NXP USA Inc.

9,754 -
MRFX600HR5

数据表

- NI-780-4 Tape & Reel (TR) Active LDMOS Dual 26.4dB 65 V 10µA - 100 mA 1.8MHz ~ 400MHz 600W 179 V - NI-780-4 - Chassis Mount
A3G26D055N-2515

A3G26D055N-2515

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

NXP USA Inc.

9,825 -
A3G26D055N-2515

数据表

- 6-LDFN Exposed Pad Bulk Active GaN - 13.9dB 48 V - - 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 8W 125 V - 6-PDFN (7x6.5) - Surface Mount
MRF6V12250HR5

MRF6V12250HR5

RF MOSFET LDMOS 50V NI780

NXP USA Inc.

9,863 -
MRF6V12250HR5

数据表

- SOT-957A Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 20.3dB 50 V - - 100 mA 1.03GHz 275W 100 V - NI-780H-2L - Chassis Mount
CGHV14500P

CGHV14500P

RF MOSFET HEMT 50V 440133

MACOM Technology Solutions

9,839 -
CGHV14500P

数据表

GaN 440133 Tray Active HEMT - 16.2dB 50 V - - 500 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 500W 125 V - 440133 - Surface Mount
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