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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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GTVA107001EC-V1-R0

GTVA107001EC-V1-R0

RF MOSFET HEMT 50V H-36248-2

MACOM Technology Solutions

4,502 -
GTVA107001EC-V1-R0

数据表

GaN H-36248-2 Tape & Reel (TR) Active HEMT - 20dB 50 V - - 100 mA 960MHz ~ 1.215GHz 890W 125 V - H-36248-2 - Chassis Mount
MMBF5484

MMBF5484

RF MOSFET JFET 15V SOT23-3

onsemi

5,806 -
MMBF5484

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active JFET N-Channel - 15 V 5mA 4dB - 400MHz - 25 V - SOT-23-3 - Surface Mount
J211-D74Z

J211-D74Z

RF MOSFET JFET 25V TO92-3

onsemi

5,526 -
J211-D74Z

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Cut Tape (CT) Active JFET N-Channel - - 20mA - - - - 25 V - TO-92-3 - Through Hole
PD84008L-E

PD84008L-E

RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERFLAT

STMicroelectronics

8,213 -
PD84008L-E

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 15.5dB 7.5 V 7A - 250 mA 870MHz 2W 25 V - PowerFLAT™ (5x5) - -
PD54008L-E

PD54008L-E

RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERFLAT

STMicroelectronics

6,486 -
PD54008L-E

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 15dB 7.5 V 5A - 200 mA 500MHz 8W 25 V - PowerFLAT™ (5x5) - -
BLP15M9S30GZ

BLP15M9S30GZ

RF MOSFET LDMOS SOT1483-1

Ampleon USA Inc.

5,791 -
BLP15M9S30GZ

数据表

- SOT-1483-1 Tape & Reel (TR) Active LDMOS N-Channel 19.3dB - - - - 1.5GHz 30W 65 V - SOT1483-1 - Surface Mount
CG2H80015D-GP4

CG2H80015D-GP4

RF MOSFET HEMT 28V DIE

MACOM Technology Solutions

7,499 -
CG2H80015D-GP4

数据表

GaN Die Tray Active HEMT - 17dB 28 V - - - 8GHz 15W 84 V - Die - -
SD2933W

SD2933W

RF MOSFET 50V M177

STMicroelectronics

2,124 -
SD2933W

数据表

- M177 Tray Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 23.5dB 50 V 40A - 250 mA 30MHz 300W 125 V - M177 - -
T2G6003028-FS

T2G6003028-FS

DC-6 GHZ,30W,28V GAN RF PWR TR

Qorvo

2,122 -
T2G6003028-FS

数据表

- 2L-FLG Tray Active HEMT P-Channel 14dB 28 V - - 200 mA 6GHz 30W 100 V - - - Chassis Mount
BLA9H0912L-250U

BLA9H0912L-250U

RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A

Ampleon USA Inc.

2,238 -
BLA9H0912L-250U

数据表

- SOT-502A Tray Active LDMOS - 22dB 50 V 1.4µA - 100 mA 960MHz ~ 1.215GHz 250W 106 V - SOT502A - Chassis Mount
BLL9G1214LS-600U

BLL9G1214LS-600U

RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B

Ampleon USA Inc.

2,824 -
BLL9G1214LS-600U

数据表

- SOT-502B Tray Active LDMOS - 19dB 32 V 5µA - 400 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 600W 65 V - SOT502B - Chassis Mount
BLS9G2731L-400U

BLS9G2731L-400U

RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A

Ampleon USA Inc.

5,408 -
BLS9G2731L-400U

数据表

- SOT-502A Tray Active LDMOS - 13dB 32 V 4µA - 400 mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 400W 65 V - SOT502A - Chassis Mount
PTVA123501EC-V2-R0

PTVA123501EC-V2-R0

RF MOSFET LDMOS 50V H-36248-2

MACOM Technology Solutions

8,567 -
PTVA123501EC-V2-R0

数据表

- 2-Flatpack, Fin Leads Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 17dB 50 V - - 150 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 350W 105 V - H-36248-2 - Surface Mount
CLL3H0914L-700U

CLL3H0914L-700U

RF MOSFET GAN 50V SOT502A

Ampleon USA Inc.

8,610 -
CLL3H0914L-700U

数据表

CLL SOT-502A Tray Active GaN N-Channel 17dB 50 V - - 500 mA 900MHz ~ 1.4GHz 700W 150 V - SOT502A - Chassis Mount
CGHV35400F1

CGHV35400F1

RF MOSFET HEMT 50V 440226

MACOM Technology Solutions

7,353 -
CGHV35400F1

数据表

- 440226 Tray Active HEMT - 15dB 50 V - - 500 mA 2.9GHz ~ 3.5GHz 400W 150 V - 440226 - -
BLP9LA25SZ

BLP9LA25SZ

RF MOSFET LDMOS SOT1482-1

Ampleon USA Inc.

8,932 -
BLP9LA25SZ

数据表

BLP SOT-1482-1 Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 18.4dB - - - - 1MHz ~ 941MHz 25W 13.6 V - SOT-1482-1 - Surface Mount
BLP9H10S-500AWTY

BLP9H10S-500AWTY

RF MOSFET LDMOS 300 MV OMP780

Ampleon USA Inc.

4,604 -
BLP9H10S-500AWTY

数据表

BLP OMP-780-6F-1 Tape & Reel (TR) Active LDMOS Dual 18.3dB 300 mV 1.4µA - 500 mA 600MHz ~ 960MHz 500W 105 V - OMP-780-6F-1 - Surface Mount
MWT-7F

MWT-7F

RF MOSFET MESFET 4V CHIP

CML Micro

2,222 -
MWT-7F

数据表

- Die Case Not For New Designs MESFET - 8dB 4 V 85mA 2dB 85 mA 500MHz ~ 26GHz 21dBm 6 V - Chip - -
BLA9G1011L-300GU

BLA9G1011L-300GU

RF MOSFET LDMOS 32V CDFM2

Ampleon USA Inc.

3,299 -
BLA9G1011L-300GU

数据表

- SOT-502A Tray Active LDMOS - 21.8dB 32 V 4.2µA - 100 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 317W - - CDFM2 - Chassis Mount
A3G26D055N-2400

A3G26D055N-2400

RF GAN AMPLIFIER 48V 6DFN

NXP USA Inc.

7,829 -
A3G26D055N-2400

数据表

- 6-LDFN Exposed Pad Bulk Active GaN - 13.9dB 48 V - - 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 8W 125 V - 6-PDFN (7x6.5) - Surface Mount
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