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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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1214GN-1200VG

1214GN-1200VG

RF MOSFET HEMT 50V 55-Q11A

Microchip Technology

6,610 -
1214GN-1200VG

数据表

VG 55-Q11A Bulk Active HEMT - 17dB 50 V - - 280 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 1200W 65 V - 55-Q11A - Surface Mount
DC35GN-15-D3

DC35GN-15-D3

RF MOSFET HEMT 52V 14DFN

Microchip Technology

2,023 -
DC35GN-15-D3

数据表

- 14-VDFN Exposed Pad Bulk Active HEMT - 18dB 52 V - - 60 mA 30MHz ~ 3.5GHz 15W 65 V - 14-DFN (3x6) - Surface Mount
B11G2327N70DX

B11G2327N70DX

RF MOSFET LDMOS 36QFN

Ampleon USA Inc.

4,286 -
B11G2327N70DX

数据表

- 36-QFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS (Dual) - 30.3dB - - - - 2.3GHz ~ 2.7GHz - 65 V - 36-PQFN (12x7) - Surface Mount
B11G3338N80DX

B11G3338N80DX

RF MOSFET LDMOS 36QFN

Ampleon USA Inc.

5,359 -
B11G3338N80DX

数据表

- 36-QFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 38dB - 1.4µA - - 3.3GHz ~ 3.8GHz - 65 V - 36-PQFN (12x7) - Surface Mount
MRF6V2150NBR1

MRF6V2150NBR1

RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4

NXP Semiconductors

3,939 -
MRF6V2150NBR1

数据表

- TO-272BB Bulk Obsolete LDMOS N-Channel 25dB 50 V - - 450 mA 450MHz 150W 110 V - TO-272 WB-4 - Chassis Mount
A3G20S350-01SR3

A3G20S350-01SR3

RF MOSFET N-CHANNEL 48V NI400

NXP USA Inc.

9,616 -
A3G20S350-01SR3

数据表

- NI-400S-2SA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 18.1dB 48 V - - 500 mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 59W 125 V - NI-400S-2SA - Surface Mount
MHTG1200HSR3

MHTG1200HSR3

RF MOSFET GAN NI780

NXP USA Inc.

2,266 -
MHTG1200HSR3

数据表

- NI-780S-4L Tape & Reel (TR) Obsolete GaN 2 N-Channel - - - - - 2.4GHz ~ 2.5GHz 300W 50 V - NI-780S-4L - Surface Mount
MRF24G300HR5

MRF24G300HR5

RF MOSFET GAN 48V NI780

NXP USA Inc.

4,480 -
MRF24G300HR5

数据表

- NI-780-4 Tape & Reel (TR) Obsolete GaN 2 N-Channel 15.2dB 48 V - - - 2.4GHz ~ 2.5GHz 300W 125 V - NI-780-4 - Chassis Mount
MHT1801B

MHT1801B

RF MOSFET

NXP USA Inc.

5,605 -
MHT1801B

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - -
MHT1807T1

MHT1807T1

RF MOSFET

NXP USA Inc.

4,585 -
MHT1807T1

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - -
MHT1801A

MHT1801A

RF MOSFET

NXP USA Inc.

4,112 -
MHT1801A

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - -
ICPB2005-1-110I

ICPB2005-1-110I

DC-12 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT

Microchip Technology

4,804 -
ICPB2005-1-110I

数据表

- Die Box Active GaN HEMT - 9.5dB 28 V 2A - 250 mA 12GHz 25W 28 V - Die - Surface Mount
ICPB2002-1-110I

ICPB2002-1-110I

DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT

Microchip Technology

9,683 -
ICPB2002-1-110I

数据表

- Die Bulk Active GaN HEMT - 10dB 28 V 1A - 125 mA 12GHz 12W 28 V - Die - Surface Mount
BLM7G1822S-20PBGYZ

BLM7G1822S-20PBGYZ

RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121

Ampleon USA Inc.

8,003 -
BLM7G1822S-20PBGYZ

数据表

- SOT-1212-3 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS (Dual) - 32.3dB 28 V 1.4µA - 76 mA 1.805GHz ~ 2.17GHz - 65 V - 16-HSOP - Surface Mount
BLM8G0710S-30PBYZ

BLM8G0710S-30PBYZ

RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112

Ampleon USA Inc.

8,969 -
BLM8G0710S-30PBYZ

数据表

- SOT-1211-3 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS (Dual) - 35.7dB 28 V 1.4µA - 120 mA 700MHz ~ 1GHz 3W 65 V - 16-HSOPF - Surface Mount
B10H0710N40DX

B10H0710N40DX

RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112

Ampleon USA Inc.

2,835 -
B10H0710N40DX

数据表

- 34-TLGA Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 35dB 48 V 1.4µA - 72 mA 700MHz ~ 1GHz - 110 V - 34-LGA (12x8) - Surface Mount
MAPC-A3009-AB000

MAPC-A3009-AB000

RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2

MACOM Technology Solutions

9,271 -
MAPC-A3009-AB000

数据表

- 440223 Strip Active GaN N-Channel 17.3dB 28 V - - 400 mA 0Hz ~ 4GHz 60W 84 V - 440223 - Chassis Mount
NPTB00004B

NPTB00004B

RF MOSFET HEMT 28V 8SOIC

MACOM Technology Solutions

3,847 -
NPTB00004B

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Tube Active GaN HEMT N-Channel 14.8dB 28 V 1.4A - 50 mA 0Hz ~ 6GHz 5W 100 V - 8-SOIC-EP - Surface Mount
MRF6V14300HR5

MRF6V14300HR5

RF MOSFET LDMOS 50V NI780

Freescale Semiconductor

1 -
MRF6V14300HR5

数据表

- SOT-957A Bulk Active LDMOS - 18dB 50 V - - 150 mA 1.4GHz 330W 100 V - NI-780H-2L - Chassis Mount
ASC2406C

ASC2406C

RF MOSFET

Amplifier Solutions Corp.

1 -
ASC2406C

数据表

- - Box Active - - 38dB - - 5dB - 200MHz ~ 1800MHz 10W 28 V - - - -
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