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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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VRF150

VRF150

RF MOSFET 50V M174

Microchip Technology

22 -
VRF150

数据表

- M174 Box Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 11dB 50 V 1mA - 250 mA 150MHz 150W 170 V - M174 - -
NPT1004D

NPT1004D

RF MOSFET HEMT 28V 8SOIC

MACOM Technology Solutions

21 -
NPT1004D

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Tube Active HEMT - 13dB 28 V 9.5A - 350 mA 0Hz ~ 4GHz 37dBm 100 V - 8-SOIC-EP - Surface Mount
STAC2942BW

STAC2942BW

RF MOSFET 50V STAC244F

STMicroelectronics

23 -
STAC2942BW

数据表

- STAC244F Tray Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel - 50 V 40A - 250 mA 175MHz 450W 130 V - STAC244F - -
VRF151G

VRF151G

RF MOSFET 50V M208

Microchip Technology

6 -
VRF151G

数据表

- 4-SMD Box Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Source 16dB 50 V 1mA - 500 mA 175MHz 300W 170 V - M208 - -
CG2H80045D-GP4

CG2H80045D-GP4

RF MOSFET HEMT 28V DIE

MACOM Technology Solutions

2 -
CG2H80045D-GP4

数据表

GaN Die Tray Active HEMT - 15dB 28 V - - 500 mA 8GHz 45W 120 V - Die - -
VRF2944

VRF2944

RF MOSFET 50V M177

Microchip Technology

22 -
VRF2944

数据表

- M177 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 22dB 50 V 50A - 250 mA 30MHz 400W 170 V - M177 - -
VRF2933MP

VRF2933MP

RF MOSFET 50V M177

Microchip Technology

5 -
VRF2933MP

数据表

- M177 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 25dB 50 V 2mA - 250 mA 150MHz 300W 170 V - M177 - -
IGN1011L1200

IGN1011L1200

RF MOSFET HEMT 50V PL84A1

Integra Technologies Inc.

8 -
IGN1011L1200

数据表

- PL84A1 Tray Active HEMT - 16.8dB 50 V - - 160 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 1250W 180 V - PL84A1 - -
CGH25120F

CGH25120F

RF MOSFET HEMT 28V 440162

MACOM Technology Solutions

7 -
CGH25120F

数据表

GaN 440162 Tray Not For New Designs HEMT - 12.5dB 28 V - - 500 mA 2.3GHz ~ 2.7GHz 130W 84 V - 440162 - Chassis Mount
CGHV50200F

CGHV50200F

RF MOSFET HEMT 40V 440217

MACOM Technology Solutions

21 -
CGHV50200F

数据表

GaN 440217 Tray Active HEMT - 11.8dB 40 V 17A - 1 A 5GHz 200W 125 V - 440217 - -
MWT-PH27F

MWT-PH27F

RF MOSFET PHEMT FET 3V CHIP

CML Micro

10 -
MWT-PH27F

数据表

- Die Case Active pHEMT FET - 14dB 3 V 120mA - 1 mA 26GHz 25dBm - - Chip - -
MWT-PH33F

MWT-PH33F

RF MOSFET PHEMT FET 3V CHIP

CML Micro

10 -
MWT-PH33F

数据表

- Die Case Active pHEMT FET - 14dB 3 V 90mA - 1 mA 26GHz 24dBm - - Chip - -
VRF151MP

VRF151MP

RF MOSFET 50V M174

Microchip Technology

10 -
VRF151MP

数据表

- M174 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 14dB 50 V 1mA - 250 mA 175MHz 150W 170 V - M174 - -
ARF475FL

ARF475FL

RF MOSFET 150V

Microchip Technology

3 -
ARF475FL

数据表

- - Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Source 16dB 150 V 10A - 15 mA 128MHz 900W 500 V - - - -
CGHV60075D5-GP4

CGHV60075D5-GP4

RF MOSFET HEMT 50V DIE

MACOM Technology Solutions

20 -
CGHV60075D5-GP4

数据表

GaN Die Tray Active HEMT - 17dB 50 V - - 125 mA 6GHz 75W 150 V - Die - -
VRF152G

VRF152G

RF MOSFET 50V 175M

Microchip Technology

10 -
VRF152G

数据表

- SOT-262A1 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 16dB 50 V 50µA - 500 mA 175MHz 300W 130 V - - - -
A3G26D055N-2110

A3G26D055N-2110

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

NXP USA Inc.

2 -
A3G26D055N-2110

数据表

- 6-LDFN Exposed Pad Bulk Active GaN - 13.9dB 48 V - - 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 8W 125 V - 6-PDFN (7x6.5) - Surface Mount
CGHV40180F-AMP3

CGHV40180F-AMP3

RF MOSFET HEMT 50V 440223

MACOM Technology Solutions

2 -
CGHV40180F-AMP3

数据表

GaN 440223 Bulk Not For New Designs HEMT - 25.6dB 50 V - - 1 A 2GHz 180W 150 V - 440223 - Chassis Mount
MWT-PH32F

MWT-PH32F

RF MOSFET PHEMT FET 2V CHIP

CML Micro

90 -
MWT-PH32F

数据表

- Die Case Active pHEMT FET - 13dB 2 V 360mA - 1 mA 12GHz 30.5dB - - Chip - -
MWT-PH29F

MWT-PH29F

RF MOSFET PHEMT FET 3V CHIP

CML Micro

100 -
MWT-PH29F

数据表

- Die Case Active pHEMT FET - 11dB 3 V 330mA - 1 mA 26GHz - - - Chip - -
共 3380 条记录«上一页1... 4445464748495051...169下一页»
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