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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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AFT20P060-4NR3

AFT20P060-4NR3

RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4

NXP Semiconductors

1,730 -
AFT20P060-4NR3

数据表

- OM-780-4L Bulk Obsolete LDMOS (Dual) 2 N-Channel 18.9dB 28 V - - 450 mA 2.17GHz 60W 65 V - OM-780-4L - Surface Mount
BLF202

BLF202

RF MOSFET

Ampleon USA Inc.

1,500 -
BLF202

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
BCP120C

BCP120C

RF MOSFET PHEMT FET 8V DIE

BeRex Inc

2,100 -
BCP120C

数据表

- Die Tray Active pHEMT FET - 11dB 8 V 500mA - 180 mA 6GHz ~ 18GHz 30.5dBm 12 V - Die - -
BCP160C

BCP160C

RF MOSFET PHEMT FET 8V DIE

BeRex Inc

1,500 -
BCP160C

数据表

- Die Tray Active pHEMT FET - 10dB 8 V 680mA - 240 mA 6GHz ~ 18GHz 31.5dBm 12 V - Die - -
BCF040T

BCF040T

RF MOSFET MESFET 8V DIE

BeRex Inc

2,500 -
BCF040T

数据表

- Die Tray Active MESFET - 10.4dB 8 V 160mA 1.7dB 80 mA 26.5GHz 23dBm 12 V - Die - -
BLF7G20LS-90P,118

BLF7G20LS-90P,118

RF MOSFET

Ampleon USA Inc.

1,200 -
BLF7G20LS-90P,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
BCF080T

BCF080T

RF MOSFET MESFET 8V DIE

BeRex Inc

2,150 -
BCF080T

数据表

- Die Tray Active MESFET - 9.7dB 8 V 320mA - 160 mA 26.5GHz 26dBm 12 V - Die - -
BLF8G09LS-400PGWQ

BLF8G09LS-400PGWQ

RF MOSFET LDMOS 28V CDFM8

NXP USA Inc.

29 -
BLF8G09LS-400PGWQ

数据表

- SOT-1242C Bulk Active LDMOS Dual, Common Source 20.6dB 28 V - - 3.4 A 718.5MHz ~ 725.5MHz 95W 65 V - CDFM8 - Chassis Mount
AFV09P350-04GNR3

AFV09P350-04GNR3

RF MOSFET LDMOS 48V OM780G-4

Freescale Semiconductor

250 -
AFV09P350-04GNR3

数据表

- OM-780G-4L Bulk Active LDMOS Dual 19.5dB 48 V - - 860 mA 920MHz 100W 105 V - OM-780G-4L - Surface Mount
A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6

RF MOSFET

NXP USA Inc.

990 -
A3T19H455W23SR6

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3

RF MOSFET LDMOS 48V OM780-4

NXP Semiconductors

454 -
A2V09H400-04NR3

数据表

- OM-780-4L Bulk Active LDMOS (Dual) 2 N-Channel 17.9dB 48 V 10µA - 688 mA 720MHz ~ 960MHz 107W 105 V - OM-780-4L - Surface Mount
A3G35H100-04SR3

A3G35H100-04SR3

RF MOSFET GAN 48V NI780

NXP Semiconductors

1,250 -
A3G35H100-04SR3

数据表

- NI-780S-4L Bulk Active GaN 2 N-Channel 14dB 48 V - - 80 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 14W 125 V - NI-780S-4L - Surface Mount
MRF8P20100HSR3

MRF8P20100HSR3

RF MOSFET

NXP USA Inc.

707 -
MRF8P20100HSR3

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
MRF24301HSR5

MRF24301HSR5

RF MOSFET LDMOS NI780

NXP Semiconductors

100 -
MRF24301HSR5

数据表

- NI-780S Bulk Obsolete LDMOS - 13.5dB - - - - 2.4GHz ~ 2.5GHz 300W 32 V - NI-780S - -
MRF8S21100HSR3

MRF8S21100HSR3

RF MOSFET

NXP USA Inc.

536 -
MRF8S21100HSR3

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
BCF120T

BCF120T

RF MOSFET MESFET 8V DIE

BeRex Inc

1,850 -
BCF120T

数据表

- Die Tray Active MESFET - 9.3dB 8 V 440mA - 220 mA 26.5GHz 28dBm 12 V - Die - -
MRF8S18120HSR3

MRF8S18120HSR3

RF MOSFET

NXP USA Inc.

2,750 -
MRF8S18120HSR3

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
MRF6VP3091NR1

MRF6VP3091NR1

RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4

Freescale Semiconductor - NXP

480 -
MRF6VP3091NR1

数据表

- TO-270AB Bulk Obsolete LDMOS Dual, Common Source 22dB 50 V 10µA - 450 mA 470MHz ~ 1.215GHz 90W 115 V - TO-270 WB-4 - Surface Mount
MRF8P20165WHSR5

MRF8P20165WHSR5

RF MOSFET 65V

NXP USA Inc.

50 -
MRF8P20165WHSR5

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
MRFX600GSR5

MRFX600GSR5

RF MOSFET LDMOS 65V NI780

NXP Semiconductors

100 -
MRFX600GSR5

数据表

- NI-780GS-4L Bulk Active LDMOS (Dual) 2 N-Channel 26.4dB 65 V 10µA - 100 mA 1.8MHz ~ 400MHz 600W 179 V - NI-780GS-4L - Surface Mount
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