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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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CGHV96130F-AMP

CGHV96130F-AMP

RF MOSFET HEMT 40V 440217

MACOM Technology Solutions

2 -
CGHV96130F-AMP

数据表

GaN 440217 Bulk Not For New Designs HEMT - 13.8dB 40 V - - 1 A 8.4GHz ~ 9.6GHz 130W 120 V - 440217 - Chassis Mount
QPD1022SR

QPD1022SR

DC-12 GHZ, 10W, 32V GAN RF TR

Qorvo

80 -
QPD1022SR

数据表

- 16-VFQFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active HEMT N-Channel 24dB 40 V - - 50 mA 12GHz 10W 100 V - 16-QFN (3x3) - Surface Mount
TGF3020-SM

TGF3020-SM

4-6GHZ,5W,32V,50OHM GAN RF I/P-M

Qorvo

20 -
TGF3020-SM

数据表

- 16-VFQFN Exposed Pad Tray Active HEMT N-Channel 13dB 40 V - - 25 mA 4GHz ~ 6GHz 5W 100 V - 16-QFN (3x3) - Surface Mount
BLC10G22XS-400AVTZ

BLC10G22XS-400AVTZ

RF MOSFET LDMOS 28V SOT1258-4

Ampleon USA Inc.

14 -
BLC10G22XS-400AVTZ

数据表

- SOT-1258-4 Tray Active LDMOS - 17dB 28 V 2.8µA - 800 mA 2.11GHz ~ 2.2GHz 400W 65 V - SOT1258-4 - Surface Mount
BLS9G2735L-50U

BLS9G2735L-50U

RF MOSFET CDFM2

Ampleon USA Inc.

25 -
BLS9G2735L-50U

数据表

- SOT-1135A Tray Active - - 12dB - - - - 2.7GHz ~ 3.5GHz 50W 32 V - CDFM2 - Chassis Mount
ICPB1010-1-110I

ICPB1010-1-110I

DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT

Microchip Technology

10 -
ICPB1010-1-110I

数据表

- Die Box Active GaN HEMT - 6.1dB 28 V 4A - 500 mA 14GHz 50W 28 V - Die - Surface Mount
MRFE6VP61K25NR6

MRFE6VP61K25NR6

RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4

NXP USA Inc.

20 -
MRFE6VP61K25NR6

数据表

- OM-1230-4L Tape & Reel (TR) Active LDMOS Dual 23dB 50 V - - 100 mA 230MHz 1250W 133 V - OM-1230-4L - Surface Mount
BLF0910H9LS750PU

BLF0910H9LS750PU

RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B

Ampleon USA Inc.

23 -
BLF0910H9LS750PU

数据表

- SOT-539B Tray Active LDMOS Dual, Common Source 21.5dB 50 V 2.8µA - 50 mA 902MHz ~ 928MHz 750W 108 V - SOT539B - Surface Mount
QPD1008L

QPD1008L

RF TRANSISTOR 125W 50V NI-360

Qorvo

25 -
QPD1008L

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
VRF154FLMP

VRF154FLMP

RF MOSFET 50V 4SMD

Microchip Technology

10 -
VRF154FLMP

数据表

- 4-SMD Tube Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 17dB 50 V 4mA - 800 mA 80MHz 600W 170 V - - - -
AFV121KHR5

AFV121KHR5

RF MOSFET LDMOS 50V NI1230

NXP USA Inc.

14 -
AFV121KHR5

数据表

- SOT-979A Tape & Reel (TR) Active LDMOS Dual 19.6dB 50 V - - 100 mA 960MHz ~ 1.22GHz 1000W 112 V - NI-1230-4H - Chassis Mount
MRF9030MBR1

MRF9030MBR1

RF MOSFET 26V TO272-2

Freescale Semiconductor

39 -
MRF9030MBR1

数据表

- TO-272BC Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 20dB 26 V 10µA - 250 mA 1GHz 30W 65 V - TO-272-2 - Chassis Mount
WP28020015

WP28020015

RF MOSFET GAN HEMT 28V DIE

WAVEPIA.,Co.Ltd

30 -
WP28020015

数据表

- Die Box Active GaN HEMT - 10dB 28 V 880mA - 300 mA 15GHz 15W 28 V - Die - -
BLF6G27-10G,118

BLF6G27-10G,118

RF MOSFET LDMOS 28V CDFM2

Ampleon USA Inc.

3,697 -
BLF6G27-10G,118

数据表

- SOT-975C Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 19dB 28 V 3.5A - 130 mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 2W 65 V - CDFM2 - Surface Mount
WP2806008UH

WP2806008UH

RF MOSFET GAN HEMT 28V 360BH

WAVEPIA.,Co.Ltd

12 -
WP2806008UH

数据表

- 360BH Box Active GaN HEMT - 11dB 28 V - - 70 mA 6GHz 6W 160 V - 360BH - Surface Mount
A2I25D025NR1

A2I25D025NR1

RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17

NXP USA Inc.

36 -
A2I25D025NR1

数据表

- TO-270-17 Variant, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS Dual 31.9dB 28 V - - 59 mA 2.69GHz 3.2W 65 V - TO-270WB-17 - Surface Mount
BLC8G27LS-60AVY

BLC8G27LS-60AVY

RF MOSFET SOT1275-3

Ampleon USA Inc.

3,052 -
BLC8G27LS-60AVY

数据表

* SOT-1275-3 Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - SOT-1275-3 - Chassis Mount
BLC8G27LS-60AVZ

BLC8G27LS-60AVZ

RF MOSFET SOT1275-3

Ampleon USA Inc.

2,170 -
BLC8G27LS-60AVZ

数据表

* SOT-1275-3 Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - SOT-1275-3 - Chassis Mount
MRF18030ALSR5

MRF18030ALSR5

RF MOSFET LDMOS 26V NI400

Freescale Semiconductor

50 -
MRF18030ALSR5

数据表

- NI-400S Bulk Active LDMOS - 14dB 26 V - - 250 mA 1.81GHz ~ 1.88GHz 30W 65 V - NI-400S - -
MRF7S19100NBR1

MRF7S19100NBR1

RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4

Freescale Semiconductor

54 -
MRF7S19100NBR1

数据表

- TO-272BB Bulk Active LDMOS - 17.5dB 28 V - - 1 A 1.93GHz ~ 1.99GHz 29W 65 V - TO-272 WB-4 - -
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