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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
IXFX15N100

IXFX15N100

MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS247-3

IXYS

2,753 -
IXFX15N100

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 700mOhm @ 7.5A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 220 nC @ 10 V 1000 V ±20V 4500 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT58N20Q

IXFT58N20Q

MOSFET N-CH 200V 58A TO268

IXYS

8,204 -
IXFT58N20Q

数据表

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 58A (Tc) 10V 40mOhm @ 29A, 10V Surface Mount 4V @ 4mA 140 nC @ 10 V 200 V ±20V 3600 pF @ 25 V - - TO-268AA - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH20N80Q

IXFH20N80Q

MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

IXYS

6,989 -
IXFH20N80Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 420mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 200 nC @ 10 V 800 V ±20V 5100 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH26N60Q

IXFH26N60Q

MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD

IXYS

8,460 -
IXFH26N60Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 26A (Tc) 10V 250mOhm @ 13A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 200 nC @ 10 V 600 V ±20V 5100 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH80N20Q

IXFH80N20Q

MOSFET N-CH 200V 80A TO247AD

IXYS

3,333 -
IXFH80N20Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 28mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V 200 V ±20V 4600 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFK120N20

IXFK120N20

MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA

IXYS

5,285 -
IXFK120N20

数据表

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 17mOhm @ 60A, 10V Through Hole 4V @ 8mA 300 nC @ 10 V 200 V ±20V 9100 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFK27N80

IXFK27N80

MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA

IXYS

6,429 -
IXFK27N80

数据表

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 27A (Tc) 10V 300mOhm @ 13.5A, 10V Through Hole 4.5V @ 8mA 400 nC @ 10 V 800 V ±20V 9740 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT32N50Q

IXFT32N50Q

MOSFET N-CH 500V 32A TO268

IXYS

6,287 -
IXFT32N50Q

数据表

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 32A (Tc) 10V 160mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 4.5V @ 4mA 190 nC @ 10 V 500 V ±20V 4925 pF @ 25 V - - TO-268AA - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT40N30Q

IXFT40N30Q

MOSFET N-CH 300V 40A TO268

IXYS

2,152 -
IXFT40N30Q

数据表

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 10V 80mOhm @ 500mA, 10V Surface Mount 4V @ 4mA 140 nC @ 10 V 300 V ±20V 3100 pF @ 25 V - - TO-268AA - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT52N30Q

IXFT52N30Q

MOSFET N-CH 300V 52A TO268

IXYS

5,899 -
IXFT52N30Q

数据表

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 52A (Tc) 10V 60mOhm @ 500mA, 10V Surface Mount 4V @ 4mA 150 nC @ 10 V 300 V ±20V 5300 pF @ 25 V - - TO-268AA - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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