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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFH40N30

IXFH40N30

MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD

IXYS

7,664 -
IXFH40N30

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 10V 85mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4V @ 4mA 200 nC @ 10 V 300 V ±20V 4800 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH24N50

IXFH24N50

MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD

IXYS

3,469 -
IXFH24N50

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 230mOhm @ 12A, 10V Through Hole 4V @ 4mA 160 nC @ 10 V 500 V ±20V 4200 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH20N60

IXFH20N60

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

IXYS

8,356 -
IXFH20N60

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 350mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 170 nC @ 10 V 600 V ±20V 4500 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH11N80

IXFH11N80

MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD

IXYS

5,374 -
IXFH11N80

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 950mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V 800 V ±20V 4200 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH12N100

IXFH12N100

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

IXYS

7,802 -
IXFH12N100

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V 1000 V ±20V 4000 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFK73N30

IXFK73N30

MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA

IXYS

4,888 -
IXFK73N30

数据表

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 73A (Tc) 10V 45mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4V @ 8mA 360 nC @ 10 V 300 V ±20V 9000 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH15N80

IXFH15N80

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD

IXYS

9,756 -
IXFH15N80

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 600mOhm @ 7.5A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 200 nC @ 10 V 800 V ±20V 4870 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH40N30Q

IXFH40N30Q

MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD

IXYS

4,954 -
IXFH40N30Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 10V 80mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4V @ 4mA 140 nC @ 10 V 300 V ±20V 3100 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH58N20Q

IXFH58N20Q

MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD

IXYS

9,503 -
IXFH58N20Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 58A (Tc) 10V 40mOhm @ 29A, 10V Through Hole 4V @ 4mA 140 nC @ 10 V 200 V ±20V 3600 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH80N10Q

IXFH80N10Q

MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD

IXYS

6,652 -
IXFH80N10Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 15mOhm @ 40A, 10V Through Hole 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V 100 V ±20V 4500 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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