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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFC26N50P

IXFC26N50P

MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220

IXYS

6,220 -
IXFC26N50P

数据表

HiPerFET™, PolarHT™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 260mOhm @ 13A, 10V Through Hole 5.5V @ 4mA 65 nC @ 10 V 500 V ±30V 3600 pF @ 25 V - - ISOPLUS220™ - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFC22N60P

IXFC22N60P

MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

IXYS

6,764 -
IXFC22N60P

数据表

HiPerFET™, PolarHT™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 360mOhm @ 11A, 10V Through Hole 5V @ 4mA 58 nC @ 10 V 600 V ±30V 4000 pF @ 25 V - - ISOPLUS220™ - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH48N20

IXTH48N20

MOSFET N-CH 200V 48A TO247

IXYS

3,507 -
IXTH48N20

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 48A (Tc) 10V 50mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V 200 V ±20V 3000 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 275W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTT50P085

IXTT50P085

MOSFET P-CH 85V 50A TO268

IXYS

9,065 -
IXTT50P085

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 55mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 150 nC @ 10 V 85 V ±20V 4200 pF @ 25 V - - TO-268AA - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTC200N10T

IXTC200N10T

MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

IXYS

5,710 -
IXTC200N10T

数据表

TrenchMV™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 101A (Tc) 10V 6.3mOhm @ 50A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 152 nC @ 10 V 100 V ±30V 9400 pF @ 25 V - - ISOPLUS220™ - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTC230N085T

IXTC230N085T

MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220

IXYS

3,128 -
IXTC230N085T

数据表

- ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) - - Through Hole - - 85 V - - - - ISOPLUS220™ - - -
IXTP3N110

IXTP3N110

MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB

IXYS

5,076 -
IXTP3N110

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 10V 4Ohm @ 1.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 42 nC @ 10 V 1100 V ±20V 1350 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTC102N20T

IXTC102N20T

MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220

IXYS

7,311 -
IXTC102N20T

数据表

- ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - Through Hole - - 200 V - - - - ISOPLUS220™ - - -
IXTC102N25T

IXTC102N25T

MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220

IXYS

6,979 -
IXTC102N25T

数据表

- ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - Through Hole - - 250 V - - - - ISOPLUS220™ - - -
IXTC130N15T

IXTC130N15T

MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220

IXYS

2,960 -
IXTC130N15T

数据表

- ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - Through Hole - - 150 V - - - - ISOPLUS220™ - - -
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