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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXTC72N30T

IXTC72N30T

MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220

IXYS

7,866 -
IXTC72N30T

数据表

- ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 72A (Tc) - - Through Hole - - 300 V - - - - ISOPLUS220™ - - -
IXTH60N15

IXTH60N15

MOSFET N-CH 150V 60A TO247

IXYS

8,647 -
IXTH60N15

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 10V 33mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V 150 V ±20V 3000 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 275W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXKC19N60C5

IXKC19N60C5

MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220

IXYS

5,799 -
IXKC19N60C5

数据表

CoolMOS™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Tc) 10V 125mOhm @ 16A, 10V Through Hole 3.5V @ 1.1mA 70 nC @ 10 V 600 V ±20V 2500 pF @ 100 V - - ISOPLUS220™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFA3N80

IXFA3N80

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263

IXYS

8,548 -
IXFA3N80

数据表

HiPerFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 4.5V @ 1mA 24 nC @ 10 V 800 V ±20V 685 pF @ 25 V - - TO-263AA (IXFA) - 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFC16N80P

IXFC16N80P

MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220

IXYS

4,290 -
IXFC16N80P

数据表

HiPerFET™, PolarHT™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 10V 650mOhm @ 8A, 10V Through Hole 5V @ 4mA 71 nC @ 10 V 800 V ±30V 4600 pF @ 25 V - - ISOPLUS220™ - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH30N60X

IXFH30N60X

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

IXYS

4,249 -
IXFH30N60X

数据表

HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 155mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 56 nC @ 10 V 600 V ±30V 2270 pF @ 25 V - - TO-247 - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFQ24N60X

IXFQ24N60X

MOSFET N-CH 600V 24A TO3P

IXYS

9,816 -
IXFQ24N60X

数据表

HiPerFET™, Ultra X TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 175mOhm @ 12A, 10V Through Hole 4.5V @ 2.5mA 47 nC @ 10 V 600 V ±30V 1910 pF @ 25 V - - TO-3P - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTR62N15P

IXTR62N15P

MOSFET N-CH 150V 36A ISOPLUS247

IXYS

8,695 -
IXTR62N15P

数据表

Polar TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 36A (Tc) 10V 45mOhm @ 31A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V 150 V ±20V 2250 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXFH8N80

IXFH8N80

MOSFET N-CH 800V 8A TO247AD

IXYS

6,735 -
IXFH8N80

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 4A, 10V Through Hole 4.5V @ 2.5mA 130 nC @ 10 V 800 V ±20V 2600 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFV20N80P

IXFV20N80P

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220

IXYS

9,984 -
IXFV20N80P

数据表

HiPerFET™, Polar TO-220-3, Short Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 520mOhm @ 10A, 10V Through Hole 5V @ 4mA 86 nC @ 10 V 800 V ±30V 4685 pF @ 25 V - - PLUS220 - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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