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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXTA15N50L2

IXTA15N50L2

MOSFET N-CH 500V 15A TO263

IXYS

134 -
IXTA15N50L2

数据表

Linear L2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 480mOhm @ 7.5A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 123 nC @ 10 V 500 V ±20V 4080 pF @ 25 V - - TO-263AA - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTA110N12T2

IXTA110N12T2

MOSFET N-CH 120V 110A TO263

IXYS

5,255 -
IXTA110N12T2

数据表

TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 110A (Tc) 10V 14mOhm @ 55A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 120 nC @ 10 V 120 V ±20V 6570 pF @ 25 V - - TO-263AA - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTP230N04T4M

IXTP230N04T4M

MOSFET N-CH 40V 230A TO220

IXYS

8,137 -
IXTP230N04T4M

数据表

Trench TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 230A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 115A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 140 nC @ 10 V 40 V ±15V 7400 pF @ 25 V - - TO-220 Isolated Tab - 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTQ90N15T

IXTQ90N15T

MOSFET N-CH 150V 90A TO3P

IXYS

8,371 -
IXTQ90N15T

数据表

Trench TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 10V 20mOhm @ 45A, 10V Through Hole 4.5V @ 1mA 80 nC @ 10 V 150 V ±30V 4100 pF @ 25 V - - TO-3P - 455W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTQ60N20L2

IXTQ60N20L2

MOSFET N-CH 200V 60A TO3P

IXYS

149 -
IXTQ60N20L2

数据表

Linear L2™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 30A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 255 nC @ 10 V 200 V ±20V 10500 pF @ 25 V - - TO-3P - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT15N100Q3

IXFT15N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 15A TO268

IXYS

145 -
IXFT15N100Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 7.5A, 10V Surface Mount 6.5V @ 4mA 64 nC @ 10 V 1000 V ±30V 3250 pF @ 25 V - - TO-268AA - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX64N50Q3

IXFX64N50Q3

MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3

IXYS

320 -
IXFX64N50Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 64A (Tc) 10V 85mOhm @ 32A, 10V Through Hole 6.5V @ 4mA 145 nC @ 10 V 500 V ±30V 6950 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX32N100Q3

IXFX32N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3

IXYS

186 -
IXFX32N100Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 32A (Tc) 10V 320mOhm @ 16A, 10V Through Hole 6.5V @ 8mA 195 nC @ 10 V 1000 V ±30V 9940 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
MKE38RK600DFEL-TRR

MKE38RK600DFEL-TRR

MOSFET N-CH 600V 50A SMPD

IXYS

200 -
MKE38RK600DFEL-TRR

数据表

CoolMOS™ 9-SMD Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V Surface Mount 3.5V @ 3mA 190 nC @ 10 V 600 V ±20V 6800 pF @ 100 V - - ISOPLUS-SMPD™.B - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTP1N80

IXTP1N80

MOSFET N-CH 800V 750MA TO220AB

IXYS

8,557 -
IXTP1N80

数据表

- TO-220-3 Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 750mA (Tc) 10V 11Ohm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 25µA 8.5 nC @ 10 V 800 V ±20V 220 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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