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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXTA220N075T7

IXTA220N075T7

MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7

IXYS

8,016 -
IXTA220N075T7

数据表

TrenchMV™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 220A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 165 nC @ 10 V 75 V ±20V 7700 pF @ 25 V - - TO-263-7 (IXTA) - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXFQ22N60P3

IXFQ22N60P3

MOSFET N-CH 600V 22A TO3P

IXYS

107 -
IXFQ22N60P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 22A (Tc) 10V 360mOhm @ 11A, 10V Through Hole 5V @ 1.5mA 38 nC @ 10 V 600 V ±30V 2600 pF @ 25 V - - TO-3P - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFQ34N50P3

IXFQ34N50P3

MOSFET N-CH 500V 34A TO3P

IXYS

582 -
IXFQ34N50P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 34A (Tc) 10V 170mOhm @ 17A, 10V Through Hole 5V @ 4mA 60 nC @ 10 V 500 V ±30V 3260 pF @ 25 V - - TO-3P - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH14N60P3

IXFH14N60P3

MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD

IXYS

9,699 -
IXFH14N60P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 540mOhm @ 7A, 10V Through Hole 5V @ 1mA 25 nC @ 10 V 600 V ±30V 1480 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 327W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTP110N12T2

IXTP110N12T2

MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB

IXYS

5,773 -
IXTP110N12T2

数据表

TrenchT2™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 110A (Tc) 10V 14mOhm @ 55A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 120 nC @ 10 V 120 V ±20V 6570 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXFQ50N50P3

IXFQ50N50P3

MOSFET N-CH 500V 50A TO3P

IXYS

253 -
IXFQ50N50P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 120mOhm @ 25A, 10V Through Hole 5V @ 4mA 85 nC @ 10 V 500 V ±30V 4335 pF @ 25 V - - TO-3P - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFQ94N30P3

IXFQ94N30P3

MOSFET N-CH 300V 94A TO3P

IXYS

126 -
IXFQ94N30P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 94A (Tc) 10V 36mOhm @ 47A, 10V Through Hole 5V @ 4mA 102 nC @ 10 V 300 V ±20V 5510 pF @ 25 V - - TO-3P - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTA3N110

IXTA3N110

MOSFET N-CH 1100V 3A TO263

IXYS

2,763 -
IXTA3N110

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 10V 4Ohm @ 1.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 42 nC @ 10 V 1100 V ±20V 1350 pF @ 25 V - - TO-263AA - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTA54N30T

IXTA54N30T

MOSFET N-CH 300V 54A TO263

IXYS

3,417 -
IXTA54N30T

数据表

Trench TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 54A (Tc) - - Surface Mount - - 300 V - - - - TO-263AA - - -
IXTP18N60PM

IXTP18N60PM

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

IXYS

9,610 -
IXTP18N60PM

数据表

Polar TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 10V 420mOhm @ 9A, 10V Through Hole 5.5V @ 250µA 49 nC @ 10 V 600 V ±30V 2500 pF @ 25 V - - TO-220 Isolated Tab - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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