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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFN75N120SK

IXFN75N120SK

SIC AND MULTICHIP DISCRETE

IXYS

9,282 -
IXFN75N120SK

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 75A (Tc) 15V 27mOhm @ 50A, 15V Chassis Mount 3.6V @ 18mA 158 nC @ 15 V 1200 V +15V, -4V 4820 pF @ 1000 V - - SOT-227B - - -40°C ~ 150°C (TJ)
IXFR58N20

IXFR58N20

MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247

IXYS

8,992 -
IXFR58N20

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 40mOhm @ 29A, 10V Through Hole 4V @ 4mA 140 nC @ 10 V 200 V ±20V 3600 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTA15P15T

IXTA15P15T

MOSFET P-CH 150V 15A TO263

IXYS

7,168 -
IXTA15P15T

数据表

TrenchP™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 240mOhm @ 7A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V 150 V ±15V 3650 pF @ 25 V - - TO-263AA - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTF03N400

IXTF03N400

MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC

IXYS

2,597 -
IXTF03N400

数据表

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300mA (Tc) 10V 300Ohm @ 150mA, 10V Through Hole 4V @ 250µA 16.3 nC @ 10 V 4000 V ±20V 435 pF @ 25 V - - ISOPLUS i4-PAC™ - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDM15-06KC5

FDM15-06KC5

MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC

IXYS

3,188 -
FDM15-06KC5

数据表

CoolMOS™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 165mOhm @ 12A, 10V Through Hole 3.5V @ 790µA 52 nC @ 10 V 600 V ±20V 2000 pF @ 100 V - - ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
FDM47-06KC5

FDM47-06KC5

MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC

IXYS

9,813 -
FDM47-06KC5

数据表

CoolMOS™, HiPerDyn™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 47A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V Through Hole 3.5V @ 3mA 190 nC @ 10 V 600 V ±20V 6800 pF @ 100 V - - ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH80N30P3

IXFH80N30P3

MOSFET N-CH 300V 80A TO-247

IXYS

2,724 -
IXFH80N30P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFN40N110Q3

IXFN40N110Q3

MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B

IXYS

7,371 -
IXFN40N110Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) 10V 260mOhm @ 20A, 10V Chassis Mount 6.5V @ 8mA 300 nC @ 10 V 1100 V ±30V 14000 pF @ 25 V - - SOT-227B - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN64N50PD3

IXFN64N50PD3

MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B

IXYS

2,682 -
IXFN64N50PD3

数据表

PolarHV™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 85mOhm @ 32A, 10V Chassis Mount 5V @ 8mA 186 nC @ 10 V 500 V ±30V 11000 pF @ 25 V - - SOT-227B - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFQ24N50P2

IXFQ24N50P2

MOSFET N-CH 500V 24A TO3P

IXYS

9,002 -
IXFQ24N50P2

数据表

HiPerFET™, PolarP2™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 270mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 1mA 48 nC @ 10 V 500 V ±30V 2890 pF @ 25 V - - TO-3P - 480W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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