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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFH34N60X2A

IXFH34N60X2A

MOSFET N-CH 22A TO247

IXYS

4,757 -
IXFH34N60X2A

数据表

HiPerFET™, Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 34A (Tc) 10V 100mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 5V @ 2.5mA 56 nC @ 10 V 600 V ±30V 3230 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-247 (IXFH) Automotive 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTY05N100

IXTY05N100

MOSFET N-CH TO252AA

IXYS

7,422 -
IXTY05N100

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTX1925

IXTX1925

MOSFET N-CH PLUS247-3

IXYS

4,838 -
IXTX1925

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTA3N120LHV-TRL

IXTA3N120LHV-TRL

MOSFET N-CH TO263

IXYS

7,926 -
IXTA3N120LHV-TRL

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFH34N50P3

IXFH34N50P3

MOSFET N-CH 500V 34A TO247AD

IXYS

292 -
IXFH34N50P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 34A (Tc) 10V 170mOhm @ 17A, 10V Through Hole 5V @ 4mA 60 nC @ 10 V 500 V ±30V 3260 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFP36N20X3M

IXFP36N20X3M

MOSFET N-CH 200V 36A TO220

IXYS

292 -
IXFP36N20X3M

数据表

HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 36A (Tc) 10V 45mOhm @ 18A, 10V Through Hole 4.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V 200 V ±20V 1425 pF @ 25 V - - TO-220 Isolated Tab - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTA50N20P

IXTA50N20P

MOSFET N-CH 200V 50A TO263

IXYS

297 -
IXTA50N20P

数据表

Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 60mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V 200 V ±20V 2720 pF @ 25 V - - TO-263AA - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXFP16N50P3

IXFP16N50P3

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

IXYS

183 -
IXFP16N50P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 360mOhm @ 8A, 10V Through Hole 5V @ 2.5mA 29 nC @ 10 V 500 V ±30V 1515 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 330W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH12N120P

IXFH12N120P

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD

IXYS

298 -
IXFH12N120P

数据表

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 1.35Ohm @ 500mA, 10V Through Hole 6.5V @ 1mA 103 nC @ 10 V 1200 V ±30V 5400 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 543W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX24N100Q3

IXFX24N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3

IXYS

300 -
IXFX24N100Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 440mOhm @ 12A, 10V Through Hole 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V 1000 V ±30V 7200 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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