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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXTP03N90P

IXTP03N90P

MOSFET N-CH TO220AB

IXYS

4,139 -
IXTP03N90P

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTS01N90P-89

IXTS01N90P-89

MOSFET N-CH SMD

IXYS

2,324 -
IXTS01N90P-89

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTM13N80

IXTM13N80

MOSFET N-CH TO-3

IXYS

5,201 -
IXTM13N80

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTP60N28TM-A

IXTP60N28TM-A

MOSFET N-CH TO220AB

IXYS

9,034 -
IXTP60N28TM-A

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTQ36N30P-PDP

IXTQ36N30P-PDP

MOSFET N-CH 300V 36A TO3P

IXYS

3,566 -
IXTQ36N30P-PDP

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTP36N30P-PDP

IXTP36N30P-PDP

MOSFET N-CH TO220AB

IXYS

4,729 -
IXTP36N30P-PDP

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTS01N90P-223

IXTS01N90P-223

MOSFET N-CH SMD

IXYS

2,949 -
IXTS01N90P-223

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTQ50N28T

IXTQ50N28T

MOSFET N-CH TO3P

IXYS

6,557 -
IXTQ50N28T

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTQ88N28T

IXTQ88N28T

MOSFET N-CH TO3P

IXYS

5,938 -
IXTQ88N28T

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTT72N10

IXTT72N10

MOSFET N-CH 100V 72A TO268

IXYS

8,022 -
IXTT72N10

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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