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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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HUF76132P3

HUF76132P3

75A, 30V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO

Fairchild Semiconductor

800 -
HUF76132P3

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FCH110N65F-F155

FCH110N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 35A TO247

Fairchild Semiconductor

69 -
FCH110N65F-F155

数据表

FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) 10V 110mOhm @ 17.5A, 10V Through Hole 5V @ 3.5mA 145 nC @ 10 V 650 V ±20V 4895 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FCH043N60

FCH043N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Fairchild Semiconductor

50 -
FCH043N60

数据表

SuperFET® II TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 43mOhm @ 38A, 10V Through Hole 3.5V @ 250µA 215 nC @ 10 V 600 V ±20V 12225 pF @ 400 V - - TO-247-3 - 592W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDZ372NZ

FDZ372NZ

MOSFET N-CH 20V 4.7A 4WLCSP

Fairchild Semiconductor

5,368 -
FDZ372NZ

数据表

PowerTrench® 4-XFBGA, WLCSP Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.7A (Ta) - 50mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 9.8 nC @ 4.5 V 20 V - 685 pF @ 10 V - - 4-WLCSP (1x1) - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQP16N25C

FQP16N25C

MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3

Fairchild Semiconductor

5,299 -
FQP16N25C

数据表

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15.6A (Tc) 10V 270mOhm @ 7.8A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 53.5 nC @ 10 V 250 V ±30V 1080 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDG326P

FDG326P

MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88

Fairchild Semiconductor

2,368 -
FDG326P

数据表

PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 467 pF @ 10 V - - SC-88 (SC-70-6) - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDC633N

FDC633N

MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6

Fairchild Semiconductor

4,083 -
FDC633N

数据表

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 5.2A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V 30 V ±8V 538 pF @ 10 V - - SuperSOT™-6 - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDH50N50

FDH50N50

MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3

Fairchild Semiconductor

3,312 -
FDH50N50

数据表

UniFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 48A (Tc) 10V 105mOhm @ 24A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 137 nC @ 10 V 500 V ±30V 6460 pF @ 25 V - - TO-247 - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
RFD16N05

RFD16N05

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

2,312 -
RFD16N05

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 47mOhm @ 16A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 80 nC @ 20 V 50 V ±20V 900 pF @ 25 V - - IPAK - 72W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SSR4N60BTF

SSR4N60BTF

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

3,332 -
SSR4N60BTF

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.8A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 1.4A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V 600 V ±30V 920 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 2.5W (Ta), 49W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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