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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
SI4425DY

SI4425DY

MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC

UMW

3,000 -
SI4425DY

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SI4435DY

SI4435DY

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

UMW

3,000 -
SI4435DY

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF7204TR

IRF7204TR

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC

UMW

3,000 -
IRF7204TR

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.1A (Ta) 4.5V, 10V 55mOhm @ 5.1A, 10V Surface Mount 2V @ 50µA 11 nC @ 10 V 30 V ±20V 520 pF @ 15 V - - 8-SOP - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDD6685

FDD6685

MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAK

UMW

2,500 -
FDD6685

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDS9435A

FDS9435A

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

UMW

2,990 -
FDS9435A

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
1N60L

1N60L

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET

UMW

2,469 -
1N60L

数据表

UMW TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Tj) 10V 11Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 4.8 nC @ 10 V 600 V ±30V 150 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - - 150°C (TJ)
1N65L

1N65L

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET

UMW

2,358 -
1N65L

数据表

UMW TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Tj) 10V 11Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 4.8 nC @ 10 V 650 V ±30V 150 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - - 150°C (TJ)
AO4435

AO4435

SOP-8 MOSFETS ROHS

UMW

1,995 -
AO4435

数据表

UMW 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 7A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 29 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 1690 pF @ 25 V - - 8-SOP - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
30P03D

30P03D

MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8

UMW

5,000 -
30P03D

数据表

* 8-DFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA - 30 V ±20V - - - 8-DFN (3x3) - 1.67W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF7406TR

IRF7406TR

MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SOIC

UMW

3,000 -
IRF7406TR

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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