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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRLML5103TR

IRLML5103TR

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23

UMW

2,990 -
IRLML5103TR

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDN339AN

FDN339AN

MOSFET N-CH 20V 3A SOT23

UMW

2,995 -
FDN339AN

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SI2333CDS

SI2333CDS

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23

UMW

2,994 -
SI2333CDS

数据表

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.1A (Tc) 1.8V, 4.5V 35mOhm @ 5.1A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA - 12 V ±8V - - - SOT-23-3 (TO-236) - 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
FDV304P

FDV304P

MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23

UMW

2,987 -
FDV304P

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDN359BN

FDN359BN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23

UMW

2,753 -
FDN359BN

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDN358P

FDN358P

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23

UMW

2,528 -
FDN358P

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SI2307A

SI2307A

30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A

UMW

2,192 -
SI2307A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 4.5V, 10V 50mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 15 nC @ 15 V 30 V ±20V 565 pF @ 15 V - - SOT-23 - 1.25W (Ta) 150°C (TJ)
AO3404A

AO3404A

30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2

UMW

2,139 -
AO3404A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 5.8A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 17 nC @ 10 V 30 V ±20V 820 pF @ 15 V - - SOT-23 - 1.4W (Ta) 150°C (TJ)
SI2302A

SI2302A

20V 2.8A 1.25W [email protected],3.1A 1

UMW

1,847 -
SI2302A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Surface Mount 1.9V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 300 pF @ 10 V - - SOT-23 - 1.25W (Ta) 150°C (TJ)
SI2312A

SI2312A

20V 3.77A 750MW [email protected],5A 850

UMW

2,926 -
SI2312A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Ta) 1.8V, 4.5V 26mOhm @ 5A, 4.5V Surface Mount 850mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V 20 V ±8V - - - SOT-23 - 750mW (Ta) 150°C (TJ)
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