UMW|场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 15

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
IRLR120NTR MOSFET N-CH 100V 10A DPAK UMW	2,500	-	询价单	数据表	*	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
NTD24N06LT4G MOSFET N-CH 60V 24A DPAK UMW	2,500	-	询价单	数据表	*	-	Cut Tape (CT)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
NTD25P03LG MOSFET P-CH 30V 25A DPAK UMW	2,500	-	询价单	数据表	*	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
NTD4860NT4G MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK UMW	2,500	-	询价单	数据表	*	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRLML2502 20V 4.2A 1.25W [email protected],4.2A 1. UMW	5,399	-	询价单	数据表	UMW	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	4.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	45mOhm @ 4.2A, 4.5V	Surface Mount	1.2V @ 50µA	10 nC @ 4.5 V	20 V	±12V	300 pF @ 10 V	-	-	SOT-23	-	1.25W (Ta)	150°C (TJ)
SI2300A 20V 6A [email protected],6A 1V@50A N CHA UMW	2,598	-	询价单	数据表	UMW	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Cut Tape (CT)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	6A (Ta)	2.5V, 4.5V	25mOhm @ 6A, 4.5V	Surface Mount	1V @ 50µA	10 nC @ 4.5 V	20 V	±12V	574 pF @ 10 V	-	-	SOT-23	-	-	150°C (TJ)
NTMS4916NR2G MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC UMW	3,000	-	询价单	数据表	*	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FDS8878 MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC UMW	3,000	-	询价单	数据表	*	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRLML6401 12V 4.3A [email protected],4.3A 1.3W 950 UMW	2,807	-	询价单	数据表	UMW	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Cut Tape (CT)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	50mOhm @ 4.3A, 4.5V	Surface Mount	950mV @ 250µA	15 nC @ 5 V	12 V	±8V	830 pF @ 10 V	-	-	SOT-23	-	1.3W (Ta)	150°C (TJ)
FDD8780 MOSFET N-CH 25V 35A DPAK UMW	2,500	-	询价单	数据表	*	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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