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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SI2319A

SI2319A

MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3

UMW

2,500 -
SI2319A

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.4A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm @ 4.4A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA - 40 V ±20V - - - SOT-23-3 (TO-236) - 1.25W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ)
IRLML2402TR

IRLML2402TR

MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23

UMW

1,996 -
IRLML2402TR

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AO3409A

AO3409A

30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@

UMW

2,965 -
AO3409A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.6A (Ta) 4.5V, 10V 130mOhm @ 2.6A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 9 nC @ 10 V 30 V ±20V 370 pF @ 15 V - - SOT-23 - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI2306A

SI2306A

30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@

UMW

2,772 -
SI2306A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Ta) 4.5V, 10V 35mOhm @ 4A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 7 nC @ 5 V 30 V ±20V 555 pF @ 15 V - - SOT-23 - 1.25W (Ta) 150°C (TJ)
FDT3612

FDT3612

MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223

UMW

2,500 -
FDT3612

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AO3407A

AO3407A

30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1.4W 3V@2

UMW

3,421 -
AO3407A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.2A (Ta) 4.5V, 10V 52mOhm @ 4.1A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 14.3 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 700 pF @ 15 V - - SOT-23 - 1.4W (Ta) 150°C (TJ)
AO3415A

AO3415A

20V 4A [email protected],4A 350MW 1V@250

UMW

3,000 -
AO3415A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Ta) 2.5V, 4.5V 36mOhm @ 4A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 17.2 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 1450 pF @ 10 V - - SOT-23 - 350mW (Ta) 150°C (TJ)
SI2328A

SI2328A

SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R

UMW

2,788 -
SI2328A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.15A (Ta) 4.5V, 10V 245mOhm @ 1.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 4 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - SOT-23 - 730mW (Ta) 150°C (TJ)
AO3401A

AO3401A

30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3

UMW

2,393 -
AO3401A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.2A (Ta) 2.5V, 10V 50mOhm @ 4.2A, 10V Surface Mount 1.3V @ 250µA 9.4 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 954 pF @ 15 V - - SOT-23 - 1.4W (Ta) 150°C (TJ)
AO3400A

AO3400A

30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V

UMW

2,265 -
AO3400A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.8A (Ta) 2.5V, 10V 28mOhm @ 5.8A, 10V Surface Mount 1.4V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 1050 pF @ 15 V - - SOT-23 - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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