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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SI2308A

SI2308A

60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250

UMW

2,965 -
SI2308A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 4.5V, 10V 80mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V 60 V ±20V 240 pF @ 25 V - - SOT-23 - 1.25W (Ta) 150°C (TJ)
AO3413A

AO3413A

SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS

UMW

2,560 -
AO3413A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 2.5V, 4.5V 66mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 745 pF @ 10 V - - SOT-23 - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDS6685

FDS6685

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

UMW

3,000 -
FDS6685

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SI2305A

SI2305A

20V 4.2A [email protected],4.2A 1.38W 50

UMW

2,267 -
SI2305A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Surface Mount - 10.6 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 740 pF @ 15 V - - SOT-23 - 1.38W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI2301A

SI2301A

20V 2.8A 400MW [email protected],2A 1V@

UMW

1,303 -
SI2301A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 70mOhm @ 2.8A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 405 pF @ 10 V - - SOT-23 - 400mW (Ta) 150°C (TJ)
IRFR8314TR

IRFR8314TR

MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

UMW

8,216 -
IRFR8314TR

数据表

* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 90A, 10V Surface Mount 2.2V @ 100µA - 30 V ±20V - - - TO-252 (DPAK) - 125W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
IRLML9303TR

IRLML9303TR

MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23

UMW

2,876 -
IRLML9303TR

数据表

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.3A (Ta) 4.5V, 10V 165mOhm @ 2.3A, 10V Surface Mount 2.4V @ 10µA - 30 V ±20V - - - SOT-23-3 (TO-236) - 1.25W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ)
BSS308PE

BSS308PE

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

UMW

2,750 -
BSS308PE

数据表

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Ta) 4.5V, 10V 80mOhm @ 2A, 10V Surface Mount 2V @ 11µA - 30 V ±20V - - - SOT-23-3 (TO-236) - 500mW (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ)
SI2310A

SI2310A

60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A

UMW

2,580 -
SI2310A

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 4.5V, 10V 80mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V 60 V ±20V 780 pF @ 25 V - - SOT-23 - 1.38W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
STN4438

STN4438

MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23

UMW

3,000 -
STN4438

数据表

* 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.2A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA - 60 V ±20V - - - 8-SOIC - 3.1W (Ta) 150°C (TJ)
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