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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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5N65F

5N65F

MOSFET N-CH 650V 5A TO220F

UMW

1,000 -
5N65F

数据表

* TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tc) 10V 2Ohm @ 2.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA - 650 V ±30V - - - TO-220F-3 - 50W (Tc) 150°C (TJ)
IRFZ44N

IRFZ44N

MOSFET N-CH 60V 50A TO220

UMW

438 -
IRFZ44N

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2N65G

2N65G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

UMW

835 -
2N65G

数据表

UMW TO-261-4, TO-261AA Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tj) 10V 5.5Ohm @ 1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 14.5 nC @ 10 V 650 V ±30V 311 pF @ 25 V - - SOT-223 - - 150°C (TJ)
IRF5305STRL

IRF5305STRL

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

UMW

800 -
IRF5305STRL

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF4905STRLP

IRF4905STRLP

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

UMW

800 -
IRF4905STRLP

数据表

* TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Tc) 10V 20mOhm @ 42A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA - 55 V ±20V - - - TO-263 (D2PAK) - 170W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
FDB8832

FDB8832

MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263

UMW

800 -
FDB8832

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFS4410Z

IRFS4410Z

MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

UMW

800 -
IRFS4410Z

数据表

* TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 97A (Tc) 10V 9mOhm @ 58A, 10V Surface Mount 4V @ 150µA - 100 V ±20V - - - TO-263 (D2PAK) - 230W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
SI2301B

SI2301B

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23

UMW

9,339 -
SI2301B

数据表

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA - 20 V ±8V - - - SOT-23-3 (TO-236) - 350mW (Ta) 150°C (TJ)
SI2302B

SI2302B

MOSFET N-CH 60V 4A SOT23

UMW

2,559 -
SI2302B

数据表

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 80mOhm @ 2.5A, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 50µA - 20 V ±8V - - - SOT-23 - 400mW (Ta) 150°C (TJ)
FDC604P

FDC604P

MOSFET P-CH 20V 5.5A SOT23-6

UMW

8,889 -
FDC604P

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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