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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STE180NE10

STE180NE10

MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP

STMicroelectronics

6,273 -
STE180NE10

数据表

STripFET™ ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) 10V 6Ohm @ 40A, 10V Chassis Mount 4V @ 250µA 795 nC @ 10 V 100 V ±20V 21000 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STFI6N80K5

STFI6N80K5

MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAKFP

STMicroelectronics

1,477 -
STFI6N80K5

数据表

SuperMESH5™ TO-262-3 Full Pack, I2PAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V Through Hole 5V @ 100µA 13 nC @ 10 V 800 V 30V 270 pF @ 100 V - - TO-281 (I2PAKFP) - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STFH13N60M2

STFH13N60M2

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

STMicroelectronics

210 -
STFH13N60M2

数据表

MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V 600 V ±25V 580 pF @ 100 V - - TO-220FP - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SCTH70N120G2V-7

SCTH70N120G2V-7

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

STMicroelectronics

8,210 -
SCTH70N120G2V-7

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 90A (Tc) 18V 30mOhm @ 50A, 18V Surface Mount 4.9V @ 1mA 150 nC @ 18 V 1200 V +22V, -10V 3540 pF @ 800 V - - H2PAK-7 - 469W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

1 -
SCTL90N65G2V

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 40A (Tc) 18V 24mOhm @ 40A, 18V Surface Mount 5V @ 1mA 157 nC @ 18 V 650 V +22V, -10V 3380 pF @ 400 V - - PowerFlat™ (8x8) HV - 935W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STE70NM60

STE70NM60

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP

STMicroelectronics

8,387 -
STE70NM60

数据表

MDmesh™ ISOTOP Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 10V 55mOhm @ 30A, 10V Chassis Mount 5V @ 250µA 266 nC @ 10 V 600 V ±30V 7300 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 600W (Tc) 150°C (TJ)
STH250N6F3-6

STH250N6F3-6

MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK

STMicroelectronics

1,000 -
STH250N6F3-6

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
STE40NK90ZD

STE40NK90ZD

MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP

STMicroelectronics

7,724 -
STE40NK90ZD

数据表

SuperFREDmesh™ ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 10V 180mOhm @ 20A, 10V Chassis Mount 4.5V @ 150µA 826 nC @ 10 V 900 V ±30V 25000 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 600W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ)
STD19NF20

STD19NF20

MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK

STMicroelectronics

2,990 -
STD19NF20

数据表

MESH OVERLAY™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 160mOhm @ 7.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V 200 V ±20V 800 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STF100N10F7

STF100N10F7

MOSFET N CH 100V 45A TO-220FP

STMicroelectronics

10,301 -
STF100N10F7

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45A (Tc) 10V 8mOhm @ 22.5A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 61 nC @ 10 V 100 V ±20V 4369 pF @ 50 V - - TO-220FP - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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