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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STE250NS10

STE250NS10

MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP

STMicroelectronics

6,514 -
STE250NS10

数据表

STripFET™ ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 220A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 125A, 10V Chassis Mount 4V @ 250µA 900 nC @ 10 V 100 V ±20V 31000 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 500W (Tc) 150°C (TJ)
STU150N3LLH6

STU150N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

STMicroelectronics

2,777 -
STU150N3LLH6

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VI TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 40A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 4040 pF @ 25 V - - TO-251 (IPAK) - 110W (Tc) 175°C (TJ)
STFI13N65M2

STFI13N65M2

MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP

STMicroelectronics

1,140 -
STFI13N65M2

数据表

MDmesh™ M2 TO-262-3 Full Pack, I2PAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 430mOhm @ 5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V 650 V ±25V 590 pF @ 100 V - - TO-281 (I2PAKFP) - 25W (Tc) 150°C (TJ)
STFI15N60M2-EP

STFI15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP

STMicroelectronics

1,496 -
STFI15N60M2-EP

数据表

MDmesh™ M2 TO-262-3 Full Pack, I2PAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 378mOhm @ 5.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V 600 V ±25V 590 pF @ 100 V - - I2PAKFP (TO-281) - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SCT015W120G3-4AG

SCT015W120G3-4AG

TO247-4

STMicroelectronics

5,058 -
SCT015W120G3-4AG

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 129A (Tc) 15V, 18V 17.5mOhm @ 60A, 18V Through Hole 4.2V @ 10mA 167 nC @ 18 V 1200 V +22V, -10V 3512 pF @ 800 V AEC-Q101 - TO-247-4 Automotive 673W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ)
STE140NF20D

STE140NF20D

MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP

STMicroelectronics

5,077 -
STE140NF20D

数据表

STripFET™ II ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 140A (Tc) 10V 12mOhm @ 70A, 10V Chassis Mount 4V @ 250µA 338 nC @ 10 V 200 V ±20V 11100 pF @ 25 V - - ISOTOP - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STE70NM50

STE70NM50

MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP

STMicroelectronics

3,647 -
STE70NM50

数据表

MDmesh™ ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 10V 50mOhm @ 30A, 10V Chassis Mount 5V @ 250µA 266 nC @ 10 V 500 V ±30V 7500 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 600W (Tc) 150°C (TJ)
STE26NA90

STE26NA90

MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP

STMicroelectronics

4,972 -
STE26NA90

数据表

- ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 26A (Tc) 10V 300mOhm @ 13A, 10V Chassis Mount 3.75V @ 1mA 660 nC @ 10 V 900 V ±30V 1770 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 450W (Tc) 150°C (TJ)
STFI9N80K5

STFI9N80K5

MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP

STMicroelectronics

1,465 -
STFI9N80K5

数据表

MDmesh™ TO-262-3 Full Pack, I2PAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Tc) 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V Through Hole 5V @ 100µA 12 nC @ 10 V 800 V ±30V 340 pF @ 100 V - - TO-281 (I2PAKFP) - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STD100NH02LT4

STD100NH02LT4

MOSFET N-CH 24V 60A DPAK

STMicroelectronics

8,582 -
STD100NH02LT4

数据表

STripFET™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 5V, 10V 4.8mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 1.8V @ 250µA 84 nC @ 10 V 24 V ±20V 3940 pF @ 15 V - - DPAK - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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