富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
STL25N15F3

STL25N15F3

MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT

STMicroelectronics

2,282 -
STL25N15F3

数据表

STripFET™ III 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 10V 57mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V 150 V ±20V 1300 pF @ 25 V - - PowerFlat™ (5x6) - 80W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STW60NM50N

STW60NM50N

MOSFET N-CH 500V 68A TO247

STMicroelectronics

9,105 -
STW60NM50N

数据表

MDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 68A (Tc) 10V 43mOhm @ 34A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 178 nC @ 10 V 500 V ±25V 5790 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 446W (Tc) 150°C (TJ)
STW55NM60ND

STW55NM60ND

MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3

STMicroelectronics

3,647 -
STW55NM60ND

数据表

FDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 51A (Tc) 10V 60mOhm @ 25.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 190 nC @ 10 V 600 V ±25V 5800 pF @ 50 V - - TO-247-3 - 350W (Tc) 150°C (TJ)
STDLED625H

STDLED625H

MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK

STMicroelectronics

2,500 -
STDLED625H

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Tc) 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V Surface Mount 4.5V @ 50µA 23 nC @ 10 V 620 V ±30V 560 pF @ 50 V - - DPAK - 70W (Tc) 150°C (TJ)
STP75N3LLH6

STP75N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 75A TO220

STMicroelectronics

1,908 -
STP75N3LLH6

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VI TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 5.9mOhm @ 37.5A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 23.8 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 2030 pF @ 25 V - - TO-220 - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STW54NM65ND

STW54NM65ND

MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3

STMicroelectronics

4,154 -
STW54NM65ND

数据表

FDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 49A (Tc) 10V 65mOhm @ 24.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 188 nC @ 10 V 650 V ±25V 6200 pF @ 50 V - - TO-247-3 - 350W (Tc) 150°C (TJ)
STP10NK70Z

STP10NK70Z

MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB

STMicroelectronics

119 -
STP10NK70Z

数据表

SuperMESH™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.6A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.5A, 10V Through Hole 4.5V @ 100µA 90 nC @ 10 V 700 V ±30V 2000 pF @ 25 V - - TO-220 - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STP77N6F6

STP77N6F6

MOSFET N-CH 60V 77A TO220

STMicroelectronics

1,566 -
STP77N6F6

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VI TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 77A (Tc) 10V 7mOhm @ 38.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 76 nC @ 10 V 60 V ±20V 5300 pF @ 25 V - - TO-220 - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SCT040W120G3-4AG

SCT040W120G3-4AG

TO247-4

STMicroelectronics

2,119 -
SCT040W120G3-4AG

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 40A (Tc) 15V, 18V 54mOhm @ 16A, 18V Through Hole 4.2V @ 5mA 56 nC @ 18 V 1200 V +22V, -10V 1329 pF @ 800 V AEC-Q101 - TO-247-4 Automotive 312W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ)
STL16N65M5

STL16N65M5

MOSFET N-CH 650V 12A PWRFLAT HV

STMicroelectronics

2,402 -
STL16N65M5

数据表

MDmesh™ V 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 299mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V 650 V ±25V 1250 pF @ 100 V - - PowerFlat™ (8x8) HV - 3W (Ta), 90W (Tc) 150°C (TJ)
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户