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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STWA70N65DM6

STWA70N65DM6

MOSFET N-CH 650V 68A TO247

STMicroelectronics

15 -
STWA70N65DM6

数据表

MDmesh™ DM6 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 68A (Tc) 10V 40mOhm @ 34A, 10V Through Hole 4.75V @ 250µA 125 nC @ 10 V 650 V ±25V 4900 pF @ 100 V - - TO-247 Long Leads - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB20NM60D

STB20NM60D

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

STMicroelectronics

4,647 -
STB20NM60D

数据表

FDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 290mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 52 nC @ 10 V 600 V ±30V 1300 pF @ 25 V - - D2PAK - 192W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ)
STU4N52K3

STU4N52K3

MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK

STMicroelectronics

2,513 -
STU4N52K3

数据表

SuperMESH3™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Tc) 10V 2.6Ohm @ 1.25A, 10V Through Hole 4.5V @ 50µA 11 nC @ 10 V 525 V ±30V 334 pF @ 100 V - - IPAK - 45W (Tc) 150°C (TJ)
STB23NM60N

STB23NM60N

MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK

STMicroelectronics

2,445 -
STB23NM60N

数据表

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Tc) 10V 180mOhm @ 9.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V 600 V ±25V 2050 pF @ 50 V - - D2PAK - 150W (Tc) 150°C (TJ)
STY130NF20D

STY130NF20D

MOSFET N-CH 200V 130A MAX247

STMicroelectronics

7,104 -
STY130NF20D

数据表

STripFET™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 130A (Tc) 10V 12mOhm @ 65A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 338 nC @ 10 V 200 V ±20V 11100 pF @ 25 V - - MAX247™ - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB23NM60ND

STB23NM60ND

MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK

STMicroelectronics

9,156 -
STB23NM60ND

数据表

FDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19.5A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V 600 V ±25V 2050 pF @ 50 V - - D2PAK - 150W (Tc) 150°C (TJ)
STW56NM60N

STW56NM60N

MOSFET N-CH 600V 45A TO247

STMicroelectronics

4,949 -
STW56NM60N

数据表

MDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45A (Tc) 10V 60mOhm @ 22.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V 600 V ±25V 4800 pF @ 50 V - - TO-247-3 - 300W (Tc) 150°C (TJ)
STY100NS20FD

STY100NS20FD

MOSFET N-CH 200V 100A MAX247

STMicroelectronics

4,699 -
STY100NS20FD

数据表

MESH OVERLAY™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 24mOhm @ 50A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 360 nC @ 10 V 200 V ±20V 7900 pF @ 25 V - - MAX247™ - 450W (Tc) 150°C (TJ)
STB25NM60N

STB25NM60N

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

STMicroelectronics

3,125 -
STB25NM60N

数据表

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 21A (Tc) 10V 160mOhm @ 10.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V 600 V ±25V 2400 pF @ 50 V - - D2PAK - 160W (Tc) 150°C (TJ)
STB25NM50N

STB25NM50N

MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK

STMicroelectronics

4,821 -
STB25NM50N

数据表

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 22A (Tc) 10V 140mOhm @ 11A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V 500 V ±25V 2565 pF @ 25 V - - D2PAK - 160W (Tc) 150°C (TJ)
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