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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STW70N65M2

STW70N65M2

MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3

STMicroelectronics

8,088 -
STW70N65M2

数据表

MDmesh™ M2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 63A (Tc) 10V 46mOhm @ 31.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 117 nC @ 10 V 650 V ±25V 5140 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB22NM60N

STB22NM60N

MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK

STMicroelectronics

8,817 -
STB22NM60N

数据表

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 220mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 4V @ 100µA 44 nC @ 10 V 600 V ±30V 1300 pF @ 50 V - - TO-263 (D2PAK) - 125W (Tc) 150°C (TJ)
SCT055W65G3-4AG

SCT055W65G3-4AG

TO247-4

STMicroelectronics

5,019 -
SCT055W65G3-4AG

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 30A (Tc) 15V, 18V 72mOhm @ 15A, 18V Through Hole 4.2V @ 1mA 32 nC @ 18 V 650 V +18V, -5V 721 pF @ 40 V AEC-Q101 - TO-247-4 Automotive 210W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ)
STB185N55F3

STB185N55F3

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

STMicroelectronics

2,992 -
STB185N55F3

数据表

STripFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 60A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V 55 V ±20V 6800 pF @ 25 V - - D2PAK - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STW45NM50FD

STW45NM50FD

MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3

STMicroelectronics

9,298 -
STW45NM50FD

数据表

FDmesh™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45A (Tc) 10V 100mOhm @ 22.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V 500 V ±30V 3600 pF @ 25 V - - TO-247-3 - 417W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ)
STW48N60M2

STW48N60M2

MOSFET N-CH 600V 42A TO247

STMicroelectronics

6 -
STW48N60M2

数据表

MDmesh™ M2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Tc) 10V 70mOhm @ 21A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V 600 V ±25V 3060 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STWA70N60DM6

STWA70N60DM6

MOSFET N-CH 600V 62A TO247

STMicroelectronics

5,142 -
STWA70N60DM6

数据表

MDmesh™ DM6 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 62A (Tc) - - Through Hole - - 600 V ±25V - - - TO-247 Long Leads - - -
STH210N75F6-2

STH210N75F6-2

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2

STMicroelectronics

3,069 -
STH210N75F6-2

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VI TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 90A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 171 nC @ 10 V 75 V ±20V 11800 pF @ 25 V - - H2PAK-2 - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STW70N65DM6

STW70N65DM6

MOSFET N-CH 650V 68A TO247

STMicroelectronics

8,939 -
STW70N65DM6

数据表

MDmesh™ DM6 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 68A (Tc) 10V 40mOhm @ 34A, 10V Through Hole 4.75V @ 250µA 125 nC @ 10 V 650 V ±25V 4900 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB25NF06LAG

STB25NF06LAG

MOSFET N-CHANNEL 60V 25A D2PAK

STMicroelectronics

1,578 -
STB25NF06LAG

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 5V, 10V - Surface Mount - 14 nC @ 10 V 60 V - - - - D2PAK - - -
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