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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STB11NM60FDT4

STB11NM60FDT4

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

STMicroelectronics

6,070 -
STB11NM60FDT4

数据表

FDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V 600 V ±30V 900 pF @ 25 V - - D2PAK - 160W (Tc) -
STH185N10F3-2

STH185N10F3-2

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

STMicroelectronics

6,925 -
STH185N10F3-2

数据表

STripFET™ F3 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 60A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 114.6 nC @ 10 V 100 V ±20V 6665 pF @ 25 V AEC-Q101 - H2PAK-2 Automotive 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STB12NM50FDT4

STB12NM50FDT4

MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

STMicroelectronics

2,369 -
STB12NM50FDT4

数据表

FDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 400mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 12 nC @ 10 V 500 V ±30V 1000 pF @ 25 V - - D2PAK - 160W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ)
STB34N50DM2AG

STB34N50DM2AG

MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK

STMicroelectronics

5,122 -
STB34N50DM2AG

数据表

MDmesh™ DM2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 26A (Tc) 10V 120mOhm @ 12.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 44 nC @ 10 V 500 V ±25V 1850 pF @ 100 V AEC-Q101 - TO-263 (D2PAK) Automotive 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB14NM65N

STB14NM65N

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

STMicroelectronics

3,637 -
STB14NM65N

数据表

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V 650 V ±25V 1300 pF @ 50 V - - D2PAK - 125W (Tc) 150°C (TJ)
STWA68N65DM6

STWA68N65DM6

DISCRETE

STMicroelectronics

5,394 -
STWA68N65DM6

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55A (Tc) 10V 59mOhm @ 24A, 10V Through Hole 4.75V @ 250µA 80 nC @ 10 V 650 V ±25V 3528 pF @ 100 V - - TO-247 Long Leads - 431W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STW47NM60ND

STW47NM60ND

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

STMicroelectronics

2,089 -
STW47NM60ND

数据表

FDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) 10V 88mOhm @ 17.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V 600 V ±25V 4200 pF @ 50 V AEC-Q101 - TO-247-3 Automotive 255W (Tc) 150°C (TJ)
STP30NM60N

STP30NM60N

MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

STMicroelectronics

6,156 -
STP30NM60N

数据表

MDmesh™ II TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 10V 130mOhm @ 12.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 91 nC @ 10 V 600 V ±30V 2700 pF @ 50 V - - TO-220 - 190W (Tc) 150°C (TJ)
STB15NM60ND

STB15NM60ND

MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK

STMicroelectronics

2,265 -
STB15NM60ND

数据表

FDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 299mOhm @ 7A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V 600 V ±25V 1250 pF @ 50 V - - D2PAK - 125W (Tc) 150°C (TJ)
STB4N62K3

STB4N62K3

MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK

STMicroelectronics

993 -
STB4N62K3

数据表

SuperMESH3™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.8A (Tc) 10V 1.95Ohm @ 1.9A, 10V Surface Mount 4.5V @ 50µA 14 nC @ 10 V 620 V ±30V 450 pF @ 50 V - - D2PAK - 70W (Tc) 150°C (TJ)
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