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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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RQ3L070BGTB1

RQ3L070BGTB1

NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE

Rohm Semiconductor

1,011 -
RQ3L070BGTB1

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Ta), 20A (Tc) 4.5V, 10V 24.7mOhm @ 7A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 7.6 nC @ 10 V 60 V ±20V 460 pF @ 30 V - - 8-HSMT (3.2x3) - 2W (Ta), 15W (Tc) 150°C (TJ)
R5011ANX

R5011ANX

MOSFET N-CH 500V 11A TO220FM

Rohm Semiconductor

7,903 -
R5011ANX

数据表

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Ta) 10V 500mOhm @ 5.5A, 10V Through Hole 4.5V @ 1mA 30 nC @ 10 V 500 V ±30V 1000 pF @ 25 V - - TO-220FM - 50W (Tc) 150°C (TJ)
RQ1E070RPHZGTR

RQ1E070RPHZGTR

PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET

Rohm Semiconductor

2,980 -
RQ1E070RPHZGTR

数据表

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Ta) 4V, 10V 17mOhm @ 7A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 26 nC @ 4 V 30 V ±20V 2700 pF @ 10 V AEC-Q101 - TSMT8 Automotive 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C
RQ1A070ZPHZGTR

RQ1A070ZPHZGTR

AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI

Rohm Semiconductor

2,314 -
RQ1A070ZPHZGTR

数据表

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Ta) 1.5V, 4.5V 12mOhm @ 7A, 4.5V Surface Mount 1V @ 1mA 58 nC @ 4.5 V 12 V ±10V 7400 pF @ 6 V AEC-Q101 - TSMT8 Automotive 1.1W (Ta) 150°C (TJ)
RQ3L060BGTB1

RQ3L060BGTB1

NCH 60V 15.5A, HSMT8, POWER MOSF

Rohm Semiconductor

2,790 -
RQ3L060BGTB1

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Ta), 15.5A (Tc) 4.5V, 10V 38mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 5.5 nC @ 10 V 60 V ±20V 310 pF @ 30 V - - 8-HSMT (3.2x3) - 2W (Ta), 14W (Tc) 150°C (TJ)
R6004END4TL1

R6004END4TL1

600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P

Rohm Semiconductor

3,881 -
R6004END4TL1

数据表

- TO-261-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.4A (Tc) 10V 980mOhm @ 1.5A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 15 nC @ 10 V 600 V ±20V 250 pF @ 25 V - - SOT-223-3 - 9.1W (Tc) 150°C (TJ)
RF9L120BJFRATCR

RF9L120BJFRATCR

PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO

Rohm Semiconductor

3,000 -
RF9L120BJFRATCR

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 4.5V, 10V 106mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 273µA 15.7 nC @ 10 V 60 V +5V, -20V 710 pF @ 30 V AEC-Q101 - DFN2020Y7LSAA Automotive 23W (Tc) 150°C (TJ)
RF9G120BJFRATCR

RF9G120BJFRATCR

PCH -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO

Rohm Semiconductor

2,990 -
RF9G120BJFRATCR

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 4.5V, 10V 48mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 279µA 15.5 nC @ 10 V 40 V +5V, -20V 750 pF @ 20 V AEC-Q101 - DFN2020Y7LSAA Automotive 23W (Tc) 150°C (TJ)
RF9L120BKFRATCR

RF9L120BKFRATCR

NCH 60V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE

Rohm Semiconductor

3,498 -
RF9L120BKFRATCR

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RQ3G120BJFRATCB

RQ3G120BJFRATCB

PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO

Rohm Semiconductor

2,990 -
RQ3G120BJFRATCB

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 4.5V, 10V 48mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 2.5V @ 279µA 15.5 nC @ 10 V 40 V +5V, -20V 750 pF @ 20 V AEC-Q101 - 8-HSMT (3.2x3) Automotive 40W (Tc) 150°C (TJ)
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