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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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UPA1526H-AZ

UPA1526H-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

109 -
UPA1526H-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK0328DPB-01#J0

RJK0328DPB-01#J0

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

3,370 -
RJK0328DPB-01#J0

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Ta) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 42 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 6380 pF @ 10 V - - LFPAK - 65W (Tc) 150°C (TJ)
2SK1165-E

2SK1165-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

327 -
2SK1165-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
H5N2007LSTL-E

H5N2007LSTL-E

25A, 200V, 0.047OHM, N CHANNEL M

Renesas Electronics Corporation

23,000 -
H5N2007LSTL-E

数据表

- - Bulk Active - - 25A (Tj) - - - - - - - - - - - - - -
2SK3511-S19-AY

2SK3511-S19-AY

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

16,000 -
2SK3511-S19-AY

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK1403A-E

2SK1403A-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

696 -
2SK1403A-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
H5N2307LSTL-E

H5N2307LSTL-E

30A, 230V, 0.052OHM, N CHANNEL M

Renesas Electronics Corporation

21,000 -
H5N2307LSTL-E

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2484(1)-AZ

2SK2484(1)-AZ

N-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

276 -
2SK2484(1)-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NP100N04PUK-E1-AY

NP100N04PUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

Renesas Electronics Corporation

2,400 -
NP100N04PUK-E1-AY

数据表

- TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 50A, 10V Surface Mount - 120 nC @ 10 V 40 V ±20V 7050 pF @ 25 V - - TO-263 - 1.8W (Ta), 176W (Tc) 175°C (TJ)
2SK3668-ZK-E1-AY

2SK3668-ZK-E1-AY

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

20,800 -
2SK3668-ZK-E1-AY

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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