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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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RJK4512DPP-K0#T2

RJK4512DPP-K0#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

730 -
RJK4512DPP-K0#T2

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2480-AZ

2SK2480-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

347 -
2SK2480-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ330-AZ

2SJ330-AZ

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

150 -
2SJ330-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ329(05)-S5-AZ

2SJ329(05)-S5-AZ

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

499 -
2SJ329(05)-S5-AZ

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK4512DPP-00#T2

RJK4512DPP-00#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

107 -
RJK4512DPP-00#T2

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3140-02-E

2SK3140-02-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,533 -
2SK3140-02-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3140-E

2SK3140-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

837 -
2SK3140-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3109-Z-E1-AZ

2SK3109-Z-E1-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

12,400 -
2SK3109-Z-E1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3111-Z-E1-AZ

2SK3111-Z-E1-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

6,000 -
2SK3111-Z-E1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2529-90-E

2SK2529-90-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

557 -
2SK2529-90-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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