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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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2SK1160-E

2SK1160-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

393 -
2SK1160-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2529-E

2SK2529-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

259 -
2SK2529-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FS100VSJ-03F-T11X5

FS100VSJ-03F-T11X5

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

18,000 -
FS100VSJ-03F-T11X5

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK1318-90-E

2SK1318-90-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

102 -
2SK1318-90-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK1535DPE-LE

RJK1535DPE-LE

40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M

Renesas Electronics Corporation

7,899 -
RJK1535DPE-LE

数据表

- SC-83 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A 10V 52mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 4.5V @ 1mA 35 nC @ 10 V 150 V ±30V 1420 pF @ 25 V - - LDPAK - 100W 150°C
FS50KM-2-J1#E51

FS50KM-2-J1#E51

DISCRETE / POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

2,522 -
FS50KM-2-J1#E51

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3712(1)-AZ

2SK3712(1)-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,169 -
2SK3712(1)-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3712-AZ

2SK3712-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,092 -
2SK3712-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FS50KM-2-J2#E52

FS50KM-2-J2#E52

DISCRETE / POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

884 -
FS50KM-2-J2#E52

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK2075DPA-00#J5A

RJK2075DPA-00#J5A

MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK

Renesas Electronics Corporation

6,000 -
RJK2075DPA-00#J5A

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Ta) 10V 69mOhm @ 10A, 10V Surface Mount - 38 nC @ 10 V 200 V ±30V 2200 pF @ 25 V - - WPAK(3F) (5x6) - 65W (Ta) 150°C (TJ)
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